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■ 2024年 出願公開件数ランキング 第3095位 6件 (2023年:第3738位 5件)
■ 2024年 特許取得件数ランキング 第2210位 8件 (2023年:第10364位 1件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特表 2024-544735 | P型横方向拡散金属酸化物半導体デバイス及びその製造方法 | 2024年12月 3日 | |
特表 2024-525075 | クエンチング抵抗を組み込んだ単一光子アバランシェダイオードおよびその製造方法 | 2024年 7月 9日 | |
特表 2024-520102 | GGNMOSトランジスタ構造、ESD保護デバイスおよび回路 | 2024年 5月21日 | |
特表 2024-516286 | 逆導通型横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ | 2024年 4月12日 | |
特表 2024-506900 | 静電気保護構造、及びその製造方法 | 2024年 2月15日 | |
特表 2024-506901 | スーパーβトライオードトランジスタ、及びその製造方法 | 2024年 2月15日 | |
特表 2024-500950 | 横方向拡散金属酸化物半導体デバイス及びその製造方法 | 2024年 1月10日 |
7 件中 1-7 件を表示
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2024-544735 2024-525075 2024-520102 2024-516286 2024-506900 2024-506901 2024-500950
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