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■ 2021年 出願公開件数ランキング 第2408位 8件
(
2020年:第5258位 3件)
■ 2021年 特許取得件数ランキング 第2213位 7件
(
2020年:第2753位 5件)
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| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特表 2021-536127 | 過渡電圧抑制デバイス及びその製造方法 | 2021年12月23日 | |
| 特表 2021-535375 | 温度センサ及びその製造方法 | 2021年12月16日 | |
| 特表 2021-532594 | 半導体デバイス及びその製造方法 | 2021年11月25日 | |
| 特表 2021-508604 | 深溝エッチングに基づくキャビティ形成方法 | 2021年 3月11日 | |
| 特表 2021-508945 | 半導体デバイスの製造方法と集積半導体デバイス | 2021年 3月11日 | |
| 特表 2021-508180 | 半導体デバイスの製造方法と集積半導体デバイス | 2021年 2月25日 | |
| 特表 2021-506111 | 絶縁ゲートバイポーラトランジスタおよびその製造方法 | 2021年 2月18日 | |
| 特表 2021-506118 | LDMOSデバイス及びその製造方法 | 2021年 2月18日 |
8 件中 1-8 件を表示
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2021-536127 2021-535375 2021-532594 2021-508604 2021-508945 2021-508180 2021-506111 2021-506118
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