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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 5806600 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | 2015年11月10日 | |
特許 5808004 | 画像処理装置、画像処理方法、およびプログラム | 2015年11月10日 | |
特許 5794526 | インタフェースシステム | 2015年10月14日 | |
特許 5795184 | 被検物質の電気化学的検出方法 | 2015年10月14日 | |
特許 5787413 | 塊茎生産能または匍匐枝形成能が野生株に比して向上している匍匐枝形成植物の作製方法、当該方法によって作製された匍匐枝形成植物 | 2015年 9月30日 | |
特許 5768299 | ドーパントの選択方法、ドーパント組成物、カーボンナノチューブ−ドーパント複合体の製造方法、シート状材料およびカーボンナノチューブ−ドーパント複合体 | 2015年 8月26日 | |
特許 5769173 | 環境ストレス下の翻訳抑制を回避する5’UTRをコードする組換えDNA分子 | 2015年 8月26日 | |
特許 5761533 | SiC半導体素子 | 2015年 8月12日 | |
特許 5761641 | (R)−3−キヌクリジノールの製造方法 | 2015年 8月12日 | |
特許 5761819 | スキャン非同期記憶素子およびそれを備えた半導体集積回路ならびにその設計方法およびテストパターン生成方法 | 2015年 8月12日 | |
特許 5764046 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | 2015年 8月12日 | |
特許 5759293 | 半導体装置の製造方法 | 2015年 8月 5日 | |
特許 5759393 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | 2015年 8月 5日 | |
特許 5737524 | 半導体装置、検知方法及びプログラム | 2015年 6月17日 | |
特許 5737719 | 希土類錯体及びその利用 | 2015年 6月17日 |
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5806600 5808004 5794526 5795184 5787413 5768299 5769173 5761533 5761641 5761819 5764046 5759293 5759393 5737524 5737719
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