豊田通商株式会社
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（
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豊田通商株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 7791397 | 改質窒化アルニウム原料の製造方法、改質窒化アルミニウム原料、窒化アルミニウム結晶の製造方法、ダウンフォール抑制方法 | 2025年12月24日 | |
| 特許 7772642 | 仮想発電所の電力管理システム | 2025年11月18日 | |
| 特許 7769847 | 窒化アルミニウム基板の製造方法、窒化アルミニウム基板、及び、窒化アルミニウム層におけるクラックの発生を抑制する方法 | 2025年11月14日 | |
| 特許 7769846 | 半導体基板の製造方法、半導体基板、及び、成長層におけるクラックの発生を抑制する方法 | 2025年11月14日 | |
| 特許 7764302 | 仮想発電所の電力管理システム | 2025年11月 5日 | |
| 特許 7758910 | 炭化ケイ素基板の製造方法、炭化ケイ素基板、及び、レーザー加工により炭化ケイ素基板に導入された歪層を除去する方法 | 2025年10月23日 | |
| 特許 7758909 | 窒化アルミニウム基板の製造方法、窒化アルミニウム基板、及び、窒化アルミニウム層を形成する方法 | 2025年10月23日 | |
| 特許 7758908 | 半導体基板の製造方法、半導体基板、及び、成長層を形成する方法 | 2025年10月23日 | |
| 特許 7755533 | 回収装置、回収方法、および、コンピュータプログラム | 2025年10月16日 | |
| 特許 7751782 | ＳｉＣ種結晶及びその製造方法、当該ＳｉＣ種結晶を成長させたＳｉＣインゴット及びその製造方法、並びに、当該ＳｉＣインゴットより製造されるＳｉＣウェハ、エピタキシャル膜付きＳｉＣウェハ及びこれらの製造方法 | 2025年10月 9日 | |
| 特許 7748604 | 窒化アルミニウム基板の製造方法、窒化アルミニウム基板、及び、レーザー加工により窒化アルミニウム基板に導入された歪層を除去する方法 | 2025年10月 3日 | |
| 特許 7742754 | 学習装置、画像判別装置、学習方法、およびコンピュータプログラム | 2025年 9月22日 | |
| 特許 7733599 | 金属精製方法および金属精製装置 | 2025年 9月 3日 | |
| 特許 7733281 | ＳｉＣ単結晶の製造方法、ＳｉＣ単結晶の製造装置及びＳｉＣ単結晶ウェハ | 2025年 9月 3日 | |
| 特許 7723235 | ＳｉＣ基板の製造方法 | 2025年 8月14日 |
25 件中 1-15 件を表示
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7791397 7772642 7769847 7769846 7764302 7758910 7758909 7758908 7755533 7751782 7748604 7742754 7733599 7733281 7723235
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