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豊田通商株式会社

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公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特許 7791397	改質窒化アルニウム原料の製造方法、改質窒化アルミニウム原料、窒化アルミニウム結晶の製造方法、ダウンフォール抑制方法	2025年12月24日
特許 7772642	仮想発電所の電力管理システム	2025年11月18日
特許 7769846	半導体基板の製造方法、半導体基板、及び、成長層におけるクラックの発生を抑制する方法	2025年11月14日
特許 7769847	窒化アルミニウム基板の製造方法、窒化アルミニウム基板、及び、窒化アルミニウム層におけるクラックの発生を抑制する方法	2025年11月14日
特許 7764302	仮想発電所の電力管理システム	2025年11月 5日
特許 7758908	半導体基板の製造方法、半導体基板、及び、成長層を形成する方法	2025年10月23日
特許 7758909	窒化アルミニウム基板の製造方法、窒化アルミニウム基板、及び、窒化アルミニウム層を形成する方法	2025年10月23日
特許 7758910	炭化ケイ素基板の製造方法、炭化ケイ素基板、及び、レーザー加工により炭化ケイ素基板に導入された歪層を除去する方法	2025年10月23日
特許 7755533	回収装置、回収方法、および、コンピュータプログラム	2025年10月16日
特許 7751782	ＳｉＣ種結晶及びその製造方法、当該ＳｉＣ種結晶を成長させたＳｉＣインゴット及びその製造方法、並びに、当該ＳｉＣインゴットより製造されるＳｉＣウェハ、エピタキシャル膜付きＳｉＣウェハ及びこれらの製造方法	2025年10月 9日
特許 7748604	窒化アルミニウム基板の製造方法、窒化アルミニウム基板、及び、レーザー加工により窒化アルミニウム基板に導入された歪層を除去する方法	2025年10月 3日
特許 7742754	学習装置、画像判別装置、学習方法、およびコンピュータプログラム	2025年 9月22日
特許 7733281	ＳｉＣ単結晶の製造方法、ＳｉＣ単結晶の製造装置及びＳｉＣ単結晶ウェハ	2025年 9月 3日
特許 7733599	金属精製方法および金属精製装置	2025年 9月 3日
特許 7723235	ＳｉＣ基板の製造方法	2025年 8月14日

25 件中 1-15 件を表示

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7791397 7772642 7769846 7769847 7764302 7758908 7758909 7758910 7755533 7751782 7748604 7742754 7733281 7733599 7723235

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