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■ 2024年 出願公開件数ランキング 第13071位 1件 (2023年:第5948位 3件)
■ 2024年 特許取得件数ランキング 第10406位 1件 (2023年:第4609位 3件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 7605441 | 疎水性深共晶溶媒の再生方法、およびニッケル浸出方法 | 2024年12月24日 | |
特許 7578870 | SiC基板、SiCエピタキシャル基板、SiCインゴット及びこれらの製造方法 | 2024年11月 7日 | |
特許 7557701 | SiC基板の製造方法、その製造装置、及び、エピタキシャル成長方法 | 2024年 9月30日 | |
特許 7549764 | 温度分布評価方法、温度分布評価装置、及び、均熱範囲の評価方法 | 2024年 9月12日 | |
特許 7541642 | 温度勾配反転手段を備える半導体基板の製造装置及び半導体基板の製造方法 | 2024年 8月29日 | |
特許 7541315 | ニッケル鉱からのニッケルの浸出方法および硫酸ニッケルの製造方法 | 2024年 8月28日 | |
特許 7541166 | 管理サーバ、プログラム | 2024年 8月27日 | |
特許 7534579 | SiCエピタキシャル基板の製造方法及びその製造装置 | 2024年 8月15日 | |
特許 7518325 | SiC基板の製造方法及びその製造装置 | 2024年 7月18日 | |
特許 7515136 | センサ付きボルト及び締結方法 | 2024年 7月12日 | |
特許 7464806 | SiC半導体基板及びその製造方法及びその製造装置 | 2024年 4月10日 | |
特許 7464807 | SiC基板の製造方法及びその製造装置及びSiC基板のマクロステップバンチングを低減する方法 | 2024年 4月10日 | |
特許 7464808 | SiC基板の製造方法及びその製造装置及びSiC基板の加工変質層を低減する方法 | 2024年 4月10日 | |
特許 7457896 | 加工変質層の評価方法及び評価システム | 2024年 3月29日 | |
特許 7444408 | 発泡成形品用補強材に用いられる不織布、発泡成形品用補強材、及び発泡成形品用補強材に用いられる不織布の製造方法 | 2024年 3月 6日 |
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7605441 7578870 7557701 7549764 7541642 7541315 7541166 7534579 7518325 7515136 7464806 7464807 7464808 7457896 7444408
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