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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第2279位 9件
(2010年:第3298位 6件)
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第24706位 0件
(2010年:第22882位 0件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2011-181168 | 回転ゲートを有するMRAMベースのメモリデバイス | 2011年 9月15日 | |
特表 2011-525048 | 共有線を備える磁気ランダムアクセスメモリセル | 2011年 9月 8日 | |
特開 2011-151359 | 磁気トンネル接合構造 | 2011年 8月 4日 | |
特表 2011-517502 | 熱支援書き込みを用いる磁気素子 | 2011年 6月 9日 | |
特開 2011-81895 | 自己参照型MRAMセルを検知するための調節可能なタイミング信号を発生するための回路 | 2011年 4月21日 | |
特表 2011-507243 | 熱支援筆記手順を備える磁気メモリ装置と方法 | 2011年 3月 3日 | |
特開 2011-23100 | 自己参照磁気ランダムアクセスメモリセル | 2011年 2月 3日 | |
特開 2011-23722 | 高速スピン移動トルク書き込み手順を備えた磁気素子 | 2011年 2月 3日 | |
特開 2011-14228 | 究極の磁気ランダムアクセスメモリベース3値CAM | 2011年 1月20日 |
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2011-181168 2011-525048 2011-151359 2011-517502 2011-81895 2011-507243 2011-23100 2011-23722 2011-14228
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