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■ 2013年 出願公開件数ランキング 第2152位 11件 (2012年:第2159位 10件)
■ 2013年 特許取得件数ランキング 第6233位 2件 (2012年:第25637位 0件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2013-164893 | 高速磁気ランダムアクセスメモリベース三値連想メモリ | 2013年 8月22日 | |
特開 2013-162132 | 線形読出信号を用いた自己参照MRAM素子 | 2013年 8月19日 | |
特開 2013-145626 | 低減した界磁電流による熱アシスト書込オペレーションを用いたMRAMセル及びMRAMセルの書込方法 | 2013年 7月25日 | |
特開 2013-138202 | スピン注入書き込み操作を使用してセルに書き込むための自己参照磁気ランダムアクセスメモリセル及び方法 | 2013年 7月11日 | |
特開 2013-123058 | 合成記憶層を有する自己参照磁気ランダムアクセスメモリセル | 2013年 6月20日 | |
特開 2013-110417 | 最適化された信頼性を有する自己参照MRAMセル | 2013年 6月 6日 | |
特開 2013-93558 | 自己参照読み出し操作を使用してMRAMセルに書き込み及びMRAMセルを読み出すための磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)セル及び方法 | 2013年 5月16日 | |
特開 2013-80920 | 強磁性層を有する自己参照磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)セル | 2013年 5月 2日 | |
特開 2013-62501 | 改良されたトンネル障壁を有する磁気トンネル接合 | 2013年 4月 4日 | |
特開 2013-30769 | スイッチング磁界の改善された分散を伴う磁気ランダムアクセスメモリセル | 2013年 2月 7日 | |
特開 2013-29835 | サイドチャネル攻撃に対抗する方法 | 2013年 2月 7日 |
11 件中 1-11 件を表示
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2013-164893 2013-162132 2013-145626 2013-138202 2013-123058 2013-110417 2013-93558 2013-80920 2013-62501 2013-30769 2013-29835
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11月26日(火) -
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11月26日(火) -
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11月27日(水) -
11月28日(木) - 東京 港区
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11月28日(木) - 京都 京都市
11月28日(木) -
11月28日(木) - 大阪 大阪市
11月28日(木) -
11月29日(金) - 東京 港区
11月29日(金) - 茨城 ひたちなか市
11月30日(土) -
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12月1日(日) -
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