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■ 2013年 出願公開件数ランキング 第3287位 6件 (2012年:第11791位 1件)
■ 2013年 特許取得件数ランキング 第2956位 6件 (2012年:第3844位 4件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2013-256444 | 原料の溶融物から結晶を製造するための構成および方法、ならびに単結晶 | 2013年12月26日 | |
特開 2013-141023 | III−N基板及びIII−Nテンプレート | 2013年 7月18日 | |
特開 2013-136512 | III−N基板製造方法 | 2013年 7月11日 | 共同出願 |
特開 2013-126943 | ドープ半導体単結晶 | 2013年 6月27日 | |
特開 2013-116851 | ドープIII−Nバルク結晶及び自立型ドープIII−N基板 | 2013年 6月13日 | |
特表 2013-522152 | 半極性の半導体結晶およびそれを製造するための方法 | 2013年 6月13日 |
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2013-256444 2013-141023 2013-136512 2013-126943 2013-116851 2013-522152
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