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■ 2013年 出願公開件数ランキング 第3287位 6件 (2012年:第11791位 1件)
■ 2013年 特許取得件数ランキング 第2956位 6件 (2012年:第3844位 4件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
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特許 5371430 | 半導体基板並びにハイドライド気相成長法により自立半導体基板を製造するための方法及びそれに使用されるマスク層 | 2013年12月18日 | |
特許 5357122 | 単結晶を切断する方法及び装置 | 2013年12月 4日 | |
特許 5298015 | ドープIII−Nバルク結晶及び自立型ドープIII−N基板の製造方法 | 2013年 9月25日 | |
特許 5275554 | III−V族半導体単結晶の製造方法 | 2013年 8月28日 | |
特許 5258555 | III−N層製造方法、III−N層またはIII−N基板、ならびにそれに基づく装置 | 2013年 8月 7日 | 共同出願 |
特許 5114033 | ワイヤーソーイングの方法及び装置 | 2013年 1月 9日 |
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5371430 5357122 5298015 5275554 5258555 5114033
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11月25日(月) -
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11月28日(木) -
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