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■ 2016年 出願公開件数ランキング 第12189位 1件
(2015年:第5202位 3件)
■ 2016年 特許取得件数ランキング 第4304位 3件
(2015年:第2434位 6件)
(ランキング更新日:2025年6月20日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 6018382 | 低い光吸収係数を有するドープされた砒化ガリウム基板ウエハを製造するための方法 | 2016年11月 2日 | |
特許 5998175 | IアニールIII−V族半導体単結晶ウェーハ | 2016年 9月28日 | |
特許 5908853 | III−N基板製造方法 | 2016年 4月26日 |
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6018382 5998175 5908853
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