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■ 2014年 出願公開件数ランキング 第5218位 3件 (2013年:第3287位 6件)
■ 2014年 特許取得件数ランキング 第2733位 7件 (2013年:第2956位 6件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
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特許 5629340 | ドープIII−Nバルク結晶及び自立型ドープIII−N基板 | 2014年11月19日 | |
特許 5628956 | III−N基板及びIII−Nテンプレート | 2014年11月19日 | |
特許 5608076 | 原料の溶融物から結晶を製造するための構成および方法、ならびに単結晶 | 2014年10月15日 | |
特許 5564418 | ポリクリスタルシリコンまたはマルチクリスタルシリコンの製造装置および方法、それらによって製造されるポリクリスタルシリコンまたはマルチクリスタルシリコンのインゴットおよびウエハ、ならびにそれらの太陽電池製造のための使用 | 2014年 7月30日 | |
特許 5544172 | 気相エピタキシーを用いた半導体複合材料の製造方法 | 2014年 7月 9日 | |
特許 5468631 | ワイヤーソーイング用スラリー | 2014年 4月 9日 | |
特許 5433414 | III−N基板の平滑化方法 | 2014年 3月 5日 |
7 件中 1-7 件を表示
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5629340 5628956 5608076 5564418 5544172 5468631 5433414
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最新の制度改正を反映 海外の特許制度と実務上の留意点(米国・欧州(EPC)・中国)~米国ならびに EPC (欧州特許条約)・中国の各制度の下でのグローバル特許取得の基本的な知識と留意点を解説します~
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