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インターナショナル レクティフィアー コーポレイション

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  2013年 出願公開件数ランキング    第1902位 13件 下降2012年:第1466位 17件)

  2013年 特許取得件数ランキング    第1444位 17件 上昇2012年:第2117位 10件)

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公報番号発明の名称公報発行日備考
特許 5373832 はんだ濡れ性の前面金属部を備えるIII族窒化物パワーデバイス 2013年12月18日
特許 5357134 モノリシック集積複合III−V族及びIV族半導体デバイス、並びにその製造方法 2013年12月 4日
特許 5351832 モノリシック垂直集積複合III−V族及びIV族半導体デバイス 2013年11月27日
特許 5336738 パワー半導体デバイスおよびその製造方法 2013年11月 6日
特許 5319918 高電圧半導体装置に対して用いられるウエハーを形成する方法及び高電圧半導体装置に対して用いられるウエハー 2013年10月16日
特許 5297806 III族窒化物半導体素子の製造 2013年 9月25日
特許 5298006 III族窒化物パワー半導体デバイス 2013年 9月25日
特許 5301996 受動コンポーネントを集積したパワー半導体デバイス 2013年 9月25日
特許 5290963 高効率両面冷却ディスクリートパワーパッケージ、特に革新的なパワーモジュール用の基本素子 2013年 9月18日
特許 5281748 III族窒化物素子の不動態化およびその方法 2013年 9月 4日
特許 5271701 細長い電極を有する半導体デバイス用のワイヤボンドデバイスパッケージ 2013年 8月21日
特許 5260550 III族窒化物素子のための活性領域成形およびその製造方法 2013年 8月14日
特許 5202312 第III族窒化物エンハンスメント型デバイス 2013年 6月 5日
特許 5202313 プログラマブルゲートを備える常時オフIII族窒化物半導体デバイス 2013年 6月 5日
特許 5203725 III族窒化物パワー半導体デバイス 2013年 6月 5日

17 件中 1-15 件を表示

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5373832 5357134 5351832 5336738 5319918 5297806 5298006 5301996 5290963 5281748 5271701 5260550 5202312 5202313 5203725

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