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| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5373832 | はんだ濡れ性の前面金属部を備えるIII族窒化物パワーデバイス | 2013年12月18日 | |
| 特許 5357134 | モノリシック集積複合III−V族及びIV族半導体デバイス、並びにその製造方法 | 2013年12月 4日 | |
| 特許 5351832 | モノリシック垂直集積複合III−V族及びIV族半導体デバイス | 2013年11月27日 | |
| 特許 5336738 | パワー半導体デバイスおよびその製造方法 | 2013年11月 6日 | |
| 特許 5319918 | 高電圧半導体装置に対して用いられるウエハーを形成する方法及び高電圧半導体装置に対して用いられるウエハー | 2013年10月16日 | |
| 特許 5297806 | III族窒化物半導体素子の製造 | 2013年 9月25日 | |
| 特許 5298006 | III族窒化物パワー半導体デバイス | 2013年 9月25日 | |
| 特許 5301996 | 受動コンポーネントを集積したパワー半導体デバイス | 2013年 9月25日 | |
| 特許 5290963 | 高効率両面冷却ディスクリートパワーパッケージ、特に革新的なパワーモジュール用の基本素子 | 2013年 9月18日 | |
| 特許 5281748 | III族窒化物素子の不動態化およびその方法 | 2013年 9月 4日 | |
| 特許 5271701 | 細長い電極を有する半導体デバイス用のワイヤボンドデバイスパッケージ | 2013年 8月21日 | |
| 特許 5260550 | III族窒化物素子のための活性領域成形およびその製造方法 | 2013年 8月14日 | |
| 特許 5202312 | 第III族窒化物エンハンスメント型デバイス | 2013年 6月 5日 | |
| 特許 5202313 | プログラマブルゲートを備える常時オフIII族窒化物半導体デバイス | 2013年 6月 5日 | |
| 特許 5203725 | III族窒化物パワー半導体デバイス | 2013年 6月 5日 |
17 件中 1-15 件を表示
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5373832 5357134 5351832 5336738 5319918 5297806 5298006 5301996 5290963 5281748 5271701 5260550 5202312 5202313 5203725
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