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2013年:第1902位 13件)
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2013年:第1444位 17件)
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| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5643783 | III−V族トランジスタとIV族ダイオードを含む積層複合デバイス | 2014年12月17日 | |
| 特許 5635888 | 高導電性のソース/ドレイン接点を有するIII族窒化物トランジスタ及びその製造方法 | 2014年12月 3日 | |
| 特許 5632416 | III−V族トランジスタとIV族縦型トランジスタを含む積層複合デバイス | 2014年11月26日 | |
| 特許 5596740 | 打抜きリードフレームを備えるカスコード接続された高電圧III族窒化物整流器パッケージ | 2014年 9月24日 | |
| 特許 5596748 | 両面冷却パワー半導体パッケージ | 2014年 9月24日 | |
| 特許 5584089 | 力率を増加させた駆動回路 | 2014年 9月 3日 | |
| 特許 5567508 | III族窒化物スイッチを有する直流電圧変換器 | 2014年 8月 6日 | |
| 特許 5567513 | シリコンおよびIII−V族のモノリシック集積デバイス | 2014年 8月 6日 | |
| 特許 5567553 | 窒化ガリウム材料加工及びその関連するデバイス構造体 | 2014年 8月 6日 | |
| 特許 5558714 | 半導体パッケージ | 2014年 7月23日 | |
| 特許 5526179 | III−V族トランジスタとIV族横型トランジスタを含む積層複合デバイス | 2014年 6月18日 | |
| 特許 5526174 | ターンオン防止付き複合半導体デバイス | 2014年 6月18日 | |
| 特許 5503487 | 歪緩衝中間層を有するIII−V族半導体デバイス | 2014年 5月28日 | |
| 特許 5497985 | 半導体パッケージ | 2014年 5月21日 | |
| 特許 5492238 | 低電圧デバイス保護付き高電圧複合半導体デバイス | 2014年 5月14日 |
20 件中 1-15 件を表示
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5643783 5635888 5632416 5596740 5596748 5584089 5567508 5567513 5567553 5558714 5526179 5526174 5503487 5497985 5492238
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