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住友金属鉱山株式会社

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住友金属鉱山株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称	公報発行日	備考
特開 2012-89785	干渉型電波遮蔽または吸収体	2012年 5月10日	共同出願
特開 2012-89774	希土類−遷移金属−窒素磁石粉末とその製造方法、製造装置及びそれを用いたボンド磁石用組成物、並びにボンド磁石	2012年 5月10日
再表 2010-64719	透明導電膜の製造方法及び透明導電膜、透明導電基板並びにそれを用いたデバイス	2012年 5月10日
特開 2012-87085	高純度ニオブ溶液の製造方法	2012年 5月10日
特開 2012-87323	窒化チタンスパッタリングターゲットおよびその製造方法	2012年 5月10日
特開 2012-87394	電解採取設備	2012年 5月10日
特開 2012-88242	金属微粒子表面の脂肪酸の定量方法	2012年 5月10日
特開 2012-90225	干渉型電波反射体	2012年 5月10日
特開 2012-89682	表面電極付透明導電基板の製造方法及び薄膜太陽電池の製造方法	2012年 5月10日
特開 2012-82326	高耐熱性熱線遮蔽成分含有マスターバッチおよびその製造方法、高耐熱性熱線遮蔽透明樹脂成形体、並びに高耐熱性熱線遮蔽透明積層体	2012年 4月26日
特開 2012-81663	透明導電基材及びタッチパネル	2012年 4月26日
特開 2012-82109	高耐熱性熱線遮蔽体形成用タングステン酸化物微粒子の製造方法、高耐熱性熱線遮蔽体形成用タングステン酸化物微粒子および高耐熱性熱線遮蔽体形成用分散液、並びに高耐熱性熱線遮蔽体	2012年 4月26日
特開 2012-82498	Ｃｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットの製造方法及びＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲット	2012年 4月26日
特開 2012-82118	酸化物単結晶の育成方法	2012年 4月26日
特開 2012-84938	半導体装置製造用基板	2012年 4月26日

293 件中 196-210 件を表示

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2012-89785 2012-89774 2010-64719 2012-87085 2012-87323 2012-87394 2012-88242 2012-90225 2012-89682 2012-82326 2012-81663 2012-82109 2012-82498 2012-82118 2012-84938

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