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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第175位 251件
(2010年:第197位 254件)
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第233位 152件
(2010年:第279位 110件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 4826126 | 日射遮蔽膜形成用塗布液および日射遮蔽膜ならびに日射遮蔽機能を有する基材 | 2011年11月30日 | |
特許 4821396 | 導電性組成物及び導電膜形成方法 | 2011年11月24日 | |
特許 4821486 | スズを含有する白金原料の精製方法 | 2011年11月24日 | |
特許 4821768 | 射出成形用組成物およびその製造方法、並びに得られる射出成形体 | 2011年11月24日 | |
特許 4822059 | 識別装置 | 2011年11月24日 | |
特許 4816116 | スパッタリングターゲット用酸化物焼結体および、それを用いて得られる酸化物膜、それを含む透明基材 | 2011年11月16日 | |
特許 4816137 | 透明導電膜及び透明導電性基材 | 2011年11月16日 | |
特許 4815763 | リチウム含有正極活物質の溶解方法 | 2011年11月16日 | |
特許 4814856 | 希土類−鉄−マンガン−窒素系磁石粉末 | 2011年11月16日 | 共同出願 |
特許 4811520 | 半導体装置用基板の製造方法、半導体装置の製造方法、半導体装置用基板及び半導体装置 | 2011年11月 9日 | |
特許 4811293 | 吸収型多層膜NDフィルター及びその製造方法 | 2011年11月 9日 | |
特許 4811294 | 吸収型多層膜NDフィルターの製造方法 | 2011年11月 9日 | |
特許 4807331 | 酸化インジウム系スパッタリングターゲットの製造方法 | 2011年11月 2日 | |
特許 4807465 | Pbフリーはんだ合金 | 2011年11月 2日 | |
特許 4807467 | 非水系電解質二次電池用正極活物質とその製造方法および非水系電解質二次電池 | 2011年11月 2日 |
152 件中 16-30 件を表示
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4826126 4821396 4821486 4821768 4822059 4816116 4816137 4815763 4814856 4811520 4811293 4811294 4807331 4807465 4807467
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7月18日(金) - 東京 千代田区
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【特許のはなし・生成系AIのリスクのはなし】~特許の使い方・使える特許の作り方と、生成系AIを業務で使う場合のリスクと対応策について~
7月25日(金) -
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