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■ 2013年 出願公開件数ランキング 第216位 227件
(2012年:第238位 183件)
■ 2013年 特許取得件数ランキング 第243位 163件
(2012年:第212位 188件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
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特表 2013-516763 | フレキシブルな窒素/水素比を使用して生成されるラジカルを用いる誘電体膜成長 | 2013年 5月13日 | |
特表 2013-516788 | ラジカル成分CVD用のインサイチュオゾン硬化 | 2013年 5月13日 | |
特開 2013-84602 | 対称プラズマ処理チャンバ | 2013年 5月 9日 | |
特表 2013-516069 | シリコン含有膜の平滑SiConiエッチング | 2013年 5月 9日 | |
特表 2013-515376 | 連続プラズマを用いるPECVD(プラズマ化学気相堆積)マルチステップ処理 | 2013年 5月 2日 | |
特表 2013-515355 | 流動性CVD処理から形成された誘電体材料上で実行される湿式酸化処理 | 2013年 5月 2日 | |
特開 2013-80940 | 基板洗浄チャンバ及び構成部品 | 2013年 5月 2日 | |
特表 2013-514669 | 広範囲ウエハ温度制御のための多機能ヒータ/冷却装置ペデスタル | 2013年 4月25日 | |
特表 2013-514673 | NMOSエピ層の形成方法 | 2013年 4月25日 | |
特開 2013-70068 | エピタキシャル膜形成のためのクラスターツール | 2013年 4月18日 | |
特開 2013-70055 | シリコンと炭素を含有するインサイチュリンドープエピタキシャル層の形成 | 2013年 4月18日 | |
特表 2013-513239 | 基板処理シャワーヘッド用の再構成可能なマルチゾーンガス供給ハードウェア | 2013年 4月18日 | |
特表 2013-513235 | 非炭素ラジカル成分CVD膜向けの酸素ドーピング | 2013年 4月18日 | |
特表 2013-513238 | 高移動度のモノリシックpinダイオード | 2013年 4月18日 | |
特開 2013-64200 | 基板処理システムにおける材料蒸着方法及び装置 | 2013年 4月11日 |
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2013-516763 2013-516788 2013-84602 2013-516069 2013-515376 2013-515355 2013-80940 2013-514669 2013-514673 2013-70068 2013-70055 2013-513239 2013-513235 2013-513238 2013-64200
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7月17日(木) -
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7月18日(金) -
7月15日(火) - 東京 品川区
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7月23日(水) -
7月23日(水) -
7月23日(水) -
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7月24日(木) -
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7月25日(金) -
7月25日(金) - 大阪 大阪市
7月25日(金) - 東京 立川市
【特許のはなし・生成系AIのリスクのはなし】~特許の使い方・使える特許の作り方と、生成系AIを業務で使う場合のリスクと対応策について~
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