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アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

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  2013年 出願公開件数ランキング    第216位 227件 上昇2012年:第238位 183件)

  2013年 特許取得件数ランキング    第243位 163件 下降2012年:第212位 188件)

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公報番号発明の名称公報発行日備考
特表 2013-516763 フレキシブルな窒素/水素比を使用して生成されるラジカルを用いる誘電体膜成長 2013年 5月13日
特表 2013-516788 ラジカル成分CVD用のインサイチュオゾン硬化 2013年 5月13日
特開 2013-84602 対称プラズマ処理チャンバ 2013年 5月 9日
特表 2013-516069 シリコン含有膜の平滑SiConiエッチング 2013年 5月 9日
特表 2013-515376 連続プラズマを用いるPECVD(プラズマ化学気相堆積)マルチステップ処理 2013年 5月 2日
特表 2013-515355 流動性CVD処理から形成された誘電体材料上で実行される湿式酸化処理 2013年 5月 2日
特開 2013-80940 基板洗浄チャンバ及び構成部品 2013年 5月 2日
特表 2013-514669 広範囲ウエハ温度制御のための多機能ヒータ/冷却装置ペデスタル 2013年 4月25日
特表 2013-514673 NMOSエピ層の形成方法 2013年 4月25日
特開 2013-70068 エピタキシャル膜形成のためのクラスターツール 2013年 4月18日
特開 2013-70055 シリコンと炭素を含有するインサイチュリンドープエピタキシャル層の形成 2013年 4月18日
特表 2013-513239 基板処理シャワーヘッド用の再構成可能なマルチゾーンガス供給ハードウェア 2013年 4月18日
特表 2013-513235 非炭素ラジカル成分CVD膜向けの酸素ドーピング 2013年 4月18日
特表 2013-513238 高移動度のモノリシックpinダイオード 2013年 4月18日
特開 2013-64200 基板処理システムにおける材料蒸着方法及び装置 2013年 4月11日

227 件中 166-180 件を表示

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2013-516763 2013-516788 2013-84602 2013-516069 2013-515376 2013-515355 2013-80940 2013-514669 2013-514673 2013-70068 2013-70055 2013-513239 2013-513235 2013-513238 2013-64200

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