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アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

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アプライドマテリアルズインコーポレイテッドの商標一覧

公報番号	発明の名称	公報発行日
特表 2013-516763	フレキシブルな窒素／水素比を使用して生成されるラジカルを用いる誘電体膜成長	2013年 5月13日
特表 2013-516788	ラジカル成分ＣＶＤ用のインサイチュオゾン硬化	2013年 5月13日
特開 2013-84602	対称プラズマ処理チャンバ	2013年 5月 9日
特表 2013-516069	シリコン含有膜の平滑ＳｉＣｏｎｉエッチング	2013年 5月 9日
特表 2013-515376	連続プラズマを用いるＰＥＣＶＤ（プラズマ化学気相堆積）マルチステップ処理	2013年 5月 2日
特表 2013-515355	流動性ＣＶＤ処理から形成された誘電体材料上で実行される湿式酸化処理	2013年 5月 2日
特開 2013-80940	基板洗浄チャンバ及び構成部品	2013年 5月 2日
特表 2013-514669	広範囲ウエハ温度制御のための多機能ヒータ／冷却装置ペデスタル	2013年 4月25日
特表 2013-514673	ＮＭＯＳエピ層の形成方法	2013年 4月25日
特開 2013-70068	エピタキシャル膜形成のためのクラスターツール	2013年 4月18日
特開 2013-70055	シリコンと炭素を含有するインサイチュリンドープエピタキシャル層の形成	2013年 4月18日
特表 2013-513239	基板処理シャワーヘッド用の再構成可能なマルチゾーンガス供給ハードウェア	2013年 4月18日
特表 2013-513235	非炭素ラジカル成分ＣＶＤ膜向けの酸素ドーピング	2013年 4月18日
特表 2013-513238	高移動度のモノリシックｐｉｎダイオード	2013年 4月18日
特開 2013-64200	基板処理システムにおける材料蒸着方法及び装置	2013年 4月11日

227 件中 166-180 件を表示

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2013-516763 2013-516788 2013-84602 2013-516069 2013-515376 2013-515355 2013-80940 2013-514669 2013-514673 2013-70068 2013-70055 2013-513239 2013-513235 2013-513238 2013-64200

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