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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第357位 111件
(2010年:第427位 100件)
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第261位 133件
(2010年:第283位 109件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2011-216580 | III族窒化物半導体の成長方法 | 2011年10月27日 | |
特開 2011-213512 | 窒化ガリウム系半導体基板の製造方法 | 2011年10月27日 | |
特開 2011-211001 | 着磁コイルおよびその製造方法 | 2011年10月20日 | |
特開 2011-199219 | 発光装置 | 2011年10月 6日 | |
特開 2011-192754 | 光源装置 | 2011年 9月29日 | |
特開 2011-187621 | 窒化物系半導体発光素子 | 2011年 9月22日 | |
特開 2011-181655 | 発光装置及びその製造方法 | 2011年 9月15日 | |
特開 2011-181584 | 窒化物半導体素子及びその製造方法 | 2011年 9月15日 | |
特開 2011-181604 | 半導体レーザ素子及びその製造方法 | 2011年 9月15日 | |
特開 2011-175770 | 発光装置 | 2011年 9月 8日 | |
特開 2011-176247 | 発光装置 | 2011年 9月 8日 | |
特開 2011-175993 | 窒化物半導体レーザ素子 | 2011年 9月 8日 | |
特開 2011-165852 | 発光装置の製造方法 | 2011年 8月25日 | |
特開 2011-157231 | 窒化物半導体単結晶及び窒化物半導体基板の製造方法 | 2011年 8月18日 | |
特開 2011-154848 | 発光装置 | 2011年 8月11日 |
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2011-216580 2011-213512 2011-211001 2011-199219 2011-192754 2011-187621 2011-181655 2011-181584 2011-181604 2011-175770 2011-176247 2011-175993 2011-165852 2011-157231 2011-154848
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