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ルネサスエレクトロニクス株式会社
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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第22位 1823件
（
2010年：第46位 839件）
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第26位 1109件
（2010年：第49位 501件）
（ランキング更新日：2025年2月4日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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ルネサスエレクトロニクス株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 4698712 | 薄膜磁性体記憶装置 | 2011年 6月 8日 | |
| 特許 4699172 | 半導体装置 | 2011年 6月 8日 | |
| 特許 4699102 | 半導体装置 | 2011年 6月 8日 | |
| 特許 4698996 | 半導体装置 | 2011年 6月 8日 | |
| 特許 4698813 | 半導体装置およびその製造方法 | 2011年 6月 8日 | |
| 特許 4698793 | 半導体装置 | 2011年 6月 8日 | |
| 特許 4695909 | 半導体集積回路装置の製造方法 | 2011年 6月 8日 | |
| 特許 4695842 | 半導体装置およびその製造方法 | 2011年 6月 8日 | |
| 特許 4694305 | 半導体ウエハの製造方法 | 2011年 6月 8日 | |
| 特許 4694123 | 静電気放電保護素子 | 2011年 6月 8日 | |
| 特許 4698241 | モータ駆動装置 | 2011年 6月 8日 | |
| 特許 4695621 | 半導体回路 | 2011年 6月 8日 | |
| 特許 4694323 | 差動増幅回路および半導体装置 | 2011年 6月 8日 | |
| 特許 4696037 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | 2011年 6月 8日 | 共同出願 |
| 特許 4693074 | 外観検査装置及び外観検査方法 | 2011年 6月 1日 |
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4698712 4699172 4699102 4698996 4698813 4698793 4695909 4695842 4694305 4694123 4698241 4695621 4694323 4696037 4693074
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