ホーム > 特許ランキング > ルネサスエレクトロニクス株式会社 > 2017年 > 特許一覧
※ ログインすれば出願人(ルネサスエレクトロニクス株式会社)をリストに登録できます。ログインについて
■ 2017年 出願公開件数ランキング 第98位 525件
(2016年:第100位 430件)
■ 2017年 特許取得件数ランキング 第115位 282件
(2016年:第67位 431件)
(ランキング更新日:2021年3月4日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 6253439 | 半導体装置 | 2017年12月27日 | |
特許 6253514 | プロセッサ | 2017年12月27日 | |
特許 6253531 | 半導体装置 | 2017年12月27日 | |
特許 6253885 | 縦型パワーMOSFET | 2017年12月27日 | |
特許 6254048 | 半導体装置 | 2017年12月27日 | |
特許 6255072 | 半導体装置 | 2017年12月27日 | |
特許 6255282 | 半導体装置 | 2017年12月27日 | |
特許 6249722 | 検査方法及び半導体装置の製造方法 | 2017年12月20日 | |
特許 6249888 | 半導体装置 | 2017年12月20日 | |
特許 6249960 | 半導体装置 | 2017年12月20日 | |
特許 6251071 | 半導体装置 | 2017年12月20日 | |
特許 6251355 | 差動出力回路 | 2017年12月20日 | |
特許 6251604 | フィンFET構造を有する半導体装置及びその製造方法 | 2017年12月20日 | |
特許 6251828 | 半導体装置 | 2017年12月20日 | |
特許 6246076 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | 2017年12月13日 |
287 件中 1-15 件を表示
※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。
このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー
6253439 6253514 6253531 6253885 6254048 6255072 6255282 6249722 6249888 6249960 6251071 6251355 6251604 6251828 6246076
※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。ルネサスエレクトロニクス株式会社の知財の動向チェックに便利です。
3月5日(金) -
3月5日(金) -
3月5日(金) -
3月9日(火) -
3月10日(水) - 東京 港区
3月10日(水) -
3月11日(木) -
3月11日(木) -
3月11日(木) -
3月12日(金) -
3月13日(土) -
3月9日(火) -
〒450-0002 愛知県名古屋市中村区名駅三丁目13番24号 第一はせ川ビル6階 特許・実用新案 意匠 商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
オーブ国際特許事務所(東京都)-ソフトウェア・電気電子分野専門
東京都千代田区飯田橋3-3-11新生ビル5階 特許・実用新案 商標 外国特許 鑑定
東京都港区新橋6-20-4 新橋パインビル5階 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 訴訟 鑑定 コンサルティング