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ルネサスエレクトロニクス株式会社
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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第22位 1823件
（
2010年：第46位 839件）
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第26位 1109件
（2010年：第49位 501件）
（ランキング更新日：2025年2月4日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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ルネサスエレクトロニクス株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 4671775 | 半導体装置の製造方法 | 2011年 4月20日 | |
| 特許 4671497 | 半導体装置およびその製造方法 | 2011年 4月20日 | |
| 特許 4671459 | 半導体装置およびその製造方法 | 2011年 4月20日 | |
| 特許 4675008 | 半導体回路装置 | 2011年 4月20日 | |
| 特許 4671549 | マイクロコンピュータ発振切り替え回路 | 2011年 4月20日 | 共同出願 |
| 特許 4671512 | 不揮発性半導体メモリ | 2011年 4月20日 | 共同出願 |
| 特許 4674998 | フォールディング型Ａ／Ｄ変換器 | 2011年 4月20日 | 共同出願 |
| 特許 4671300 | 不揮発性メモリ装置 | 2011年 4月13日 | 共同出願 |
| 特許 4667781 | 電流源回路及び差動増幅器 | 2011年 4月13日 | |
| 特許 4671261 | 半導体装置 | 2011年 4月13日 | |
| 特許 4669518 | 半導体装置 | 2011年 4月13日 | |
| 特許 4668668 | 半導体装置 | 2011年 4月13日 | |
| 特許 4667594 | 薄膜磁性体記憶装置 | 2011年 4月13日 | |
| 特許 4669371 | 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置 | 2011年 4月13日 | |
| 特許 4669246 | 半導体装置およびその製造方法 | 2011年 4月13日 |
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4671775 4671497 4671459 4675008 4671549 4671512 4674998 4671300 4667781 4671261 4669518 4668668 4667594 4669371 4669246
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