特許ランキング - 出願人詳細情報 -

富士通セミコンダクター株式会社

※ ログインすれば出願人(富士通セミコンダクター株式会社)をリストに登録できます。ログインについて

　■　2013年出願公開件数ランキング　　　第144位　349件（2012年：第103位　453件）

　■　2013年特許取得件数ランキング　　　第64位　612件（2012年：第59位　620件）

（ランキング更新日：2025年2月26日）筆頭出願人である出願のみカウントしています

2011年 2012年 2014年 2015年 2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年 2025年

富士通セミコンダクター株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称	公報発行日	備考
特開 2013-148647	検証方法、検証プログラムおよび検証装置	2013年 8月 1日
特開 2013-149318	半導体メモリ	2013年 8月 1日
特開 2013-149314	半導体記憶装置の内部電圧生成回路、半導体記憶装置、及び半導体システム	2013年 8月 1日
特開 2013-149313	半導体記憶装置	2013年 8月 1日
特開 2013-149856	電気ヒューズ	2013年 8月 1日
特開 2013-149775	半導体装置の製造方法	2013年 8月 1日
特開 2013-149677	半導体装置及びその製造方法	2013年 8月 1日
特開 2013-149640	半導体装置及び半導体装置の製造方法	2013年 8月 1日
特開 2013-150550	電源電圧制御回路及び電源電圧制御方法	2013年 8月 1日
特開 2013-145856	関連付け方法、関連付けプログラム、および関連付け装置	2013年 7月25日	共同出願
特開 2013-145857	関連付け方法、関連付けプログラム、および関連付け装置	2013年 7月25日	共同出願
特開 2013-145896	半導体装置の製造方法	2013年 7月25日
特開 2013-143018	基準電圧生成回路，それを有する発振回路および発振回路の発振周波数の校正方法	2013年 7月22日
特開 2013-143628	半導体装置	2013年 7月22日
特開 2013-143516	多値磁気抵抗メモリおよび多値磁気抵抗メモリの製造方法	2013年 7月22日

349 件中 121-135 件を表示

... 9

※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。

このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー

2013-148647 2013-149318 2013-149314 2013-149313 2013-149856 2013-149775 2013-149677 2013-149640 2013-150550 2013-145856 2013-145857 2013-145896 2013-143018 2013-143628 2013-143516

※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。富士通セミコンダクター株式会社の知財の動向チェックに便利です。

ログインについて

ランキング一覧に戻る

特許ランキング

2025年特許出願件数	2025年特許取得件数
2024年特許出願件数	2024年特許取得件数
2023年特許出願件数	2023年特許取得件数
2022年特許出願件数	2022年特許取得件数
2021年特許出願件数	2021年特許取得件数
2020年特許出願件数	2020年特許取得件数
2019年特許出願件数	2019年特許取得件数
2018年特許出願件数	2018年特許取得件数
2017年特許出願件数	2017年特許取得件数
2016年特許出願件数	2016年特許取得件数
2015年特許出願件数	2015年特許取得件数
2014年特許出願件数	2014年特許取得件数
2012年特許出願件数	2012年特許取得件数
2011年特許出願件数	2011年特許取得件数