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富士通セミコンダクター株式会社
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■ 2012年 出願公開件数ランキング 第103位 453件
（
2011年：第93位 464件）
■ 2012年 特許取得件数ランキング 第59位 620件
（2011年：第53位 577件）
（ランキング更新日：2025年5月29日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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富士通セミコンダクター株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 4997663 | マルチポートメモリおよびその制御方法 | 2012年 8月 8日 | |
| 特許 4992468 | 検証方法、検証装置及びプログラム | 2012年 8月 8日 | |
| 特許 4992249 | タイミング解析方法及び装置、プログラム及び記憶媒体 | 2012年 8月 8日 | |
| 特許 4992916 | 半導体記憶装置 | 2012年 8月 8日 | |
| 特許 4992904 | 半導体装置の製造方法 | 2012年 8月 8日 | |
| 特許 4996177 | 半導体記憶装置、およびデータ読み出し方法 | 2012年 8月 8日 | |
| 特許 4992494 | 半導体記憶装置 | 2012年 8月 8日 | |
| 特許 4997809 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | 2012年 8月 8日 | |
| 特許 4997786 | 半導体集積回路装置 | 2012年 8月 8日 | |
| 特許 4997725 | 半導体装置の製造方法 | 2012年 8月 8日 | |
| 特許 4994581 | 半導体装置 | 2012年 8月 8日 | |
| 特許 4993007 | 固体撮像装置 | 2012年 8月 8日 | |
| 特許 4992930 | 荷電粒子ビーム露光における下層構造に基づく後方散乱強度の生成方法及びその方法を利用した半導体装置の製造方法 | 2012年 8月 8日 | |
| 特許 4992266 | 半導体装置の製造方法 | 2012年 8月 8日 | |
| 特許 4997891 | ＤＣ−ＤＣコンバータ及びＤＣ−ＤＣコンバータの制御方法 | 2012年 8月 8日 |
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4997663 4992468 4992249 4992916 4992904 4996177 4992494 4997809 4997786 4997725 4994581 4993007 4992930 4992266 4997891
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