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■ 2014年 出願公開件数ランキング 第557位 58件 (2013年:第769位 42件)
■ 2014年 特許取得件数ランキング 第486位 73件 (2013年:第416位 86件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
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特許 5469802 | 導電性ペースト用フレーク状銀粉及びその製造方法、並びに導電性ペースト | 2014年 4月16日 | |
特許 5466045 | 磁気記録用六方晶フェライト磁性粉末およびその製造方法 | 2014年 4月 9日 | |
特許 5466769 | 低温焼結性導電性ペーストおよびそれを用いた導電膜と導電膜の形成方法 | 2014年 4月 9日 | |
特許 5467831 | 銀粉の製造方法 | 2014年 4月 9日 | |
特許 5462032 | 金属被膜Si基板ならびに接合型発光素子およびその製造方法 | 2014年 4月 2日 | |
特許 5462377 | III族窒化物エピタキシャル基板およびその製造方法 | 2014年 4月 2日 | |
特許 5461870 | 磁性粒子、キャリア芯材、およびその製造方法、並びに、キャリアおよび電子写真現像剤 | 2014年 4月 2日 | 共同出願 |
特許 5453598 | 銀被覆銅粉および導電ペースト | 2014年 3月26日 | |
特許 5452036 | 金属ナノ粒子分散液及び金属膜の製造方法 | 2014年 3月26日 | |
特許 5443723 | 磁性粒子、キャリア芯材およびその製造法並びにキャリアおよび現像剤 | 2014年 3月19日 | 共同出願 |
特許 5441550 | 金属ナノ粒子分散液 | 2014年 3月12日 | |
特許 5438534 | 半導体素子及びその製造方法 | 2014年 3月12日 | |
特許 5439526 | III族窒化物半導体及びIII族窒化物半導体成長用基板 | 2014年 3月12日 | |
特許 5433632 | GaAs単結晶の製造方法およびGaAs単結晶ウェハ | 2014年 3月 5日 | |
特許 5431820 | 電子写真現像剤用キャリア芯材およびその製造方法、電子写真現像剤用キャリア、並びに電子写真現像剤 | 2014年 3月 5日 | 共同出願 |
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5469802 5466045 5466769 5467831 5462032 5462377 5461870 5453598 5452036 5443723 5441550 5438534 5439526 5433632 5431820
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