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■ 2012年 出願公開件数ランキング 第377位 110件 (2011年:第362位 108件)
■ 2012年 特許取得件数ランキング 第197位 199件 (2011年:第213位 168件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 4894180 | シリカ膜で被覆されたGaとZnSとの接合を有するナノワイヤー及びその製造方法 | 2012年 3月14日 | |
特許 4894641 | 熱電変換材料 | 2012年 3月14日 | |
特許 4894214 | 高効率レーザー発振装置 | 2012年 3月14日 | |
特許 4894048 | 蛍光体とその製造方法 | 2012年 3月 7日 | |
特許 4888624 | α型サイアロン粉末の製造方法 | 2012年 2月29日 | 共同出願 |
特許 4886233 | エブセレンの可溶化方法 | 2012年 2月29日 | |
特許 4883498 | マイクロパターン構造を持つナノ・マイクロファイバー不織布とその製造方法 | 2012年 2月22日 | |
特許 4883505 | 強磁場磁石装置 | 2012年 2月22日 | |
特許 4878511 | MX型炭窒化物析出強化型耐熱鋼 | 2012年 2月15日 | |
特許 4873588 | レーザ溶接方法 | 2012年 2月 8日 | 共同出願 |
特許 4873751 | 二酸化炭素除去剤とその再生方法 | 2012年 2月 8日 | |
特許 4873681 | デュアルマグネトロンスパッタリング装置及び薄膜体製造方法 | 2012年 2月 8日 | |
特許 4873680 | 立方体状マグネシア粉末の製造法 | 2012年 2月 8日 | |
特許 4873726 | 酸化亜鉛薄膜の形成方法 | 2012年 2月 8日 | |
特許 4873705 | 窒化インジウム(InN)あるいは高インジウム組成を有する窒化インジウムガリウム(InGaN)エピタキシャル薄膜の形成方法 | 2012年 2月 8日 |
199 件中 166-180 件を表示
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4894180 4894641 4894214 4894048 4888624 4886233 4883498 4883505 4878511 4873588 4873751 4873681 4873680 4873726 4873705
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12月1日(日) -
12月1日(日) -
11月29日(金) - 東京 港区
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12月4日(水) - 東京 千代田区
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12月6日(金) - 愛知 豊橋市花田町
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12月2日(月) - 滋賀 草津市
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