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■ 2016年 出願公開件数ランキング 第1978位 11件
(2015年:第1851位 12件)
■ 2016年 特許取得件数ランキング 第1540位 13件
(2015年:第1417位 13件)
(ランキング更新日:2025年5月2日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特表 2016-540124 | 改善されたプラズマ強化ALDシステム | 2016年12月22日 | |
特表 2016-533645 | シリコン基板上にデバイス品質の窒化ガリウム層を形成する方法及び装置 | 2016年10月27日 | |
特開 2016-178305 | レーザアニーリング用のパルスレーザ光線プロファイルの不均一性を減少させるためのシステム及び方法 | 2016年10月 6日 | |
特表 2016-530708 | 格子転位を除去するための急速熱処理によるヘテロエピタキシャル層の形成 | 2016年 9月29日 | |
特開 2016-122844 | 発光ダイオードを利用した材料の製造システムおよび製造方法 | 2016年 7月 7日 | |
特開 2016-119470 | 超短期滞留時間でのレーザアニーリングシステム及び方法 | 2016年 6月30日 | |
特開 2016-105470 | 欠陥アニーリング及びドーパント活性化のための高性能線形成光学システム及び方法 | 2016年 6月 9日 | |
特開 2016-76686 | 周囲酸素ガスの局在化制御を用いた半導体ウエハのレーザアニーリング方法 | 2016年 5月12日 | |
特開 2016-47958 | 酸素ラジカル生成を促進するためのCF4を用いたラジカル強化原子層蒸着 | 2016年 4月 7日 | |
特開 2016-32100 | 高性能線形成光学システム及び方法 | 2016年 3月 7日 | |
特開 2016-9865 | レーザアニーリングにおいて光線の不安定性を減少させるためのシステム及び方法 | 2016年 1月18日 |
11 件中 1-11 件を表示
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2016-540124 2016-533645 2016-178305 2016-530708 2016-122844 2016-119470 2016-105470 2016-76686 2016-47958 2016-32100 2016-9865
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