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長江存儲科技有限責任公司
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■ 2025年 出願公開件数ランキング 第436位 63件
（
2024年：第571位 49件）
■ 2025年 特許取得件数ランキング 第427位 55件
（2024年：第440位 63件）
（ランキング更新日：2025年11月20日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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長江存儲科技有限責任公司の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 7728936 | 不揮発性メモリデバイスおよび制御方法 | 2025年 8月25日 | |
| 特許 7723043 | ３次元メモリデバイス内の階段構造およびそれを形成するための方法 | 2025年 8月13日 | |
| 特許 7723065 | チップパッケージ構造、およびチップパッケージ構造の製造方法 | 2025年 8月13日 | |
| 特許 7715876 | バックサイド相互接続構造を備える３次元メモリデバイス | 2025年 7月30日 | |
| 特許 7713491 | メモリデバイス | 2025年 7月25日 | |
| 特許 7712305 | 三次元メモリデバイスのコンタクトパッドおよびその製造方法 | 2025年 7月23日 | |
| 特許 7711103 | コンタクト構造体を形成するための方法およびその半導体デバイス | 2025年 7月22日 | |
| 特許 7711207 | 半導体デバイスおよび半導体デバイスを製造する方法 | 2025年 7月22日 | |
| 特許 7707072 | ３次元メモリデバイスの相互接続構造 | 2025年 7月14日 | |
| 特許 7704868 | ３Ｄ ＮＡＮＤメモリの最良読み込み基準電圧探索 | 2025年 7月 8日 | |
| 特許 7704907 | ゲート線スリットに支持構造を伴う三次元メモリデバイス、およびその三次元メモリデバイスを形成するための方法 | 2025年 7月 8日 | |
| 特許 7703670 | 三次元メモリデバイスおよび三次元メモリデバイスの製造方法、ならびに三次元メモリ | 2025年 7月 7日 | |
| 特許 7693875 | ＮＡＮＤメモリ操作のためのアーキテクチャおよび方法 | 2025年 6月17日 | |
| 特許 7691513 | コンタクト構造およびそれを形成する方法 | 2025年 6月11日 | |
| 特許 7672994 | ディープアイソレーション構造体を備えた３次元メモリデバイス | 2025年 5月 8日 |
55 件中 16-30 件を表示
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7728936 7723043 7723065 7715876 7713491 7712305 7711103 7711207 7707072 7704868 7704907 7703670 7693875 7691513 7672994
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