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長江存儲科技有限責任公司

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  2026年 出願公開件数ランキング    第443位 15件 上昇2025年:第444位 67件)

  2026年 特許取得件数ランキング    第574位 9件 下降2025年:第427位 60件)

(ランキング更新日:2026年3月19日)筆頭出願人である出願のみカウントしています

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特開 2026-50497 3次元メモリデバイス内の階段構造およびそれを形成するための方法 2026年 3月19日
特表 2026-509357 メモリデバイス、メモリシステム、およびメモリデバイスを用いたデータ計算のための方法 2026年 3月18日
特開 2026-48990 メモリシステムおよびその動作方法、メモリコントローラ、ならびにメモリ 2026年 3月17日
特開 2026-41972 遮蔽要素を有する半導体デバイス 2026年 3月10日
特表 2026-508228 メモリシステム、方法及びコントローラ 2026年 3月10日
特表 2026-508355 メモリデバイス、メモリシステム、およびメモリデバイスを用いたデータ計算のための方法 2026年 3月10日
特開 2026-40491 三次元メモリのためのコンタクト構造 2026年 3月 9日
特表 2026-507351 半導体構造、その形成方法及び半導体デバイス 2026年 3月 2日
特表 2026-505677 メモリデバイス、メモリシステム、及びメモリデバイスを用いたデータ計算のための方法 2026年 2月18日
特開 2026-12749 分割ドレイン選択ゲート線を伴う三次元メモリデバイス、および三次元メモリデバイスを形成するための方法 2026年 1月27日
特開 2026-12430 メモリシステムにおける動作の管理 2026年 1月23日
特開 2026-9994 メモリシステムおよびその動作 2026年 1月21日
特開 2026-10099 メモリシステム、電力保護装置、および、メモリシステムをリセットするための方法 2026年 1月21日
特表 2026-500589 メモリおよびその動作方法、メモリシステム、ワードライン電圧の制御回路 2026年 1月 8日
特表 2026-500056 メモリデバイスおよびシステム、ならびに復号回路 2026年 1月 6日

15 件中 1-15 件を表示

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2026-50497 2026-509357 2026-48990 2026-41972 2026-508228 2026-508355 2026-40491 2026-507351 2026-505677 2026-12749 2026-12430 2026-9994 2026-10099 2026-500589 2026-500056

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