ホーム > 特許ランキング > 長江存儲科技有限責任公司 > 2026年の出願公開
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■ 2026年 出願公開件数ランキング 第593位 39件
(
2025年:第449位 67件)
■ 2026年 特許取得件数ランキング 第527位 37件
(
2025年:第427位 61件)
(ランキング更新日:2026年10月23日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2026-170354 | 正確なデューティサイクル制御を実装するダブルデータレート回路およびデータ生成方法 | 2026年10月21日 | |
| 特表 2026-533078 | メモリシステムを動作させるための方法および装置 | 2026年10月 5日 | |
| 特表 2026-531849 | メモリシステムならびにその動作方法、システム、および記憶媒体 | 2026年 9月25日 | |
| 特開 2026-137706 | 3次元NANDメモリにおけるワード線コンタクトのためのバリア層 | 2026年 8月27日 | |
| 特開 2026-136413 | メモリデバイス、メモリシステムおよび復号回路 | 2026年 8月25日 | |
| 特開 2026-133553 | メモリデバイスおよびそれを形成するための方法 | 2026年 8月19日 | |
| 特表 2026-524746 | 入力/出力(I/O)インタフェース、メモリデバイス及びメモリシステム | 2026年 7月24日 | |
| 特開 2026-120741 | メモリデバイスおよびその読取り動作 | 2026年 7月22日 | |
| 特開 2026-119408 | メモリデバイス | 2026年 7月16日 | |
| 特開 2026-113687 | メモリデバイス | 2026年 7月 7日 | |
| 特開 2026-99803 | 集積パッケージデバイス、その製作方法、およびメモリシステム | 2026年 6月18日 | |
| 特開 2026-99801 | バックサイドソースコンタクトを備える3次元メモリデバイスを形成するための方法 | 2026年 6月18日 | |
| 特開 2026-97787 | メモリデバイス、その動作方法、およびメモリシステム | 2026年 6月16日 | |
| 特開 2026-98030 | 3次元メモリ | 2026年 6月16日 | |
| 特表 2026-519317 | 三次元メモリデバイスにおける半導体構造 | 2026年 6月16日 |
39 件中 1-15 件を表示
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2026-170354 2026-533078 2026-531849 2026-137706 2026-136413 2026-133553 2026-524746 2026-120741 2026-119408 2026-113687 2026-99803 2026-99801 2026-97787 2026-98030 2026-519317
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