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■ 2024年 出願公開件数ランキング 第550位 47件 (2023年:第578位 52件)
■ 2024年 特許取得件数ランキング 第426位 60件 (2023年:第276位 121件)
(ランキング更新日:2024年11月22日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2024-161288 | メモリデバイス | 2024年11月15日 | |
特開 2024-159919 | 半導体デバイス用パッド構造 | 2024年11月 8日 | |
特表 2024-540783 | メモリシステムおよびその動作 | 2024年11月 6日 | |
特開 2024-155917 | バックサイドソースコンタクトを備える3次元メモリデバイスを形成するための方法 | 2024年10月31日 | |
特開 2024-153842 | 半導体デバイス及びその形成方法 | 2024年10月29日 | |
特開 2024-149790 | 不揮発性メモリデバイスおよび制御方法 | 2024年10月18日 | |
特表 2024-536554 | 分割ドレイン選択ゲート線を伴う三次元メモリデバイス、および三次元メモリデバイスを形成するための方法 | 2024年10月 4日 | |
特開 2024-129028 | フリップチップスタッキング構造体およびそれを形成するための方法 | 2024年 9月26日 | |
特開 2024-125387 | NANDフラッシュメモリ用の放電回路 | 2024年 9月18日 | |
特開 2024-123102 | メモリデバイス、システム、および、メモリデバイスを動作させるための方法 | 2024年 9月10日 | |
特開 2024-106993 | 論理-物理(L2P)テーブルにキャッシュするためのオンダイスタティックランダムアクセスメモリ(SRAM) | 2024年 8月 8日 | |
特開 2024-103498 | バックサイド相互接続構造を備える3次元メモリデバイス | 2024年 8月 1日 | |
特開 2024-83419 | 3次元メモリデバイスにおける入力/出力基準電圧トレーニング方法 | 2024年 6月21日 | |
特開 2024-73497 | NANDメモリ操作のためのアーキテクチャおよび方法 | 2024年 5月29日 | |
特開 2024-71403 | NANDメモリプログラミングのためのアーキテクチャおよび方法 | 2024年 5月24日 |
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2024-161288 2024-159919 2024-540783 2024-155917 2024-153842 2024-149790 2024-536554 2024-129028 2024-125387 2024-123102 2024-106993 2024-103498 2024-83419 2024-73497 2024-71403
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11月22日(金) -
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11月22日(金) -
11月22日(金) - 大阪 大阪市
11月22日(金) -
11月22日(金) -
11月25日(月) -
11月25日(月) - 岐阜 各務原市
11月26日(火) -
11月26日(火) - 東京 港区
11月26日(火) -
11月26日(火) -
11月26日(火) -
11月27日(水) - 東京 港区
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月27日(水) -
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11月28日(木) - 島根 松江市
11月28日(木) - 京都 京都市
11月28日(木) -
11月28日(木) - 大阪 大阪市
11月28日(木) -
11月29日(金) - 東京 港区
11月29日(金) - 茨城 ひたちなか市
11月30日(土) -
12月1日(日) -
12月1日(日) -
11月25日(月) -
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