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学校法人関西学院

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　■　2013年出願公開件数ランキング　　　第2461位　9件（2012年：第3044位　6件）

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学校法人関西学院の商標一覧

公報番号	発明の名称	公報発行日	備考
特許 5376477	単結晶炭化ケイ素基板	2013年12月25日
特許 5360639	表面改質単結晶ＳｉＣ基板、エピ成長層付き単結晶ＳｉＣ基板、半導体チップ、単結晶ＳｉＣ成長用種基板及び単結晶成長層付き多結晶ＳｉＣ基板の製造方法	2013年12月 4日
特許 5311806	バイオシリカ製造法、およびバイオシリカ固定基板の製造法	2013年10月 9日
特許 5303758	イメージスケール作成方法、その装置、及びイメージスケール作成プログラム	2013年10月 2日
特許 5267902	多面体結晶構造模型	2013年 8月21日
特許 5267945	三次元微細加工方法及び三次元微細構造	2013年 8月21日
特許 5258798	３，６−Ｏ−架橋反転ピラノース化合物及びβ−Ｏ−ピラノシドの製造方法	2013年 8月 7日
特許 5251015	熱処理装置及び熱処理方法	2013年 7月31日
特許 5224256	単結晶炭化ケイ素基板の処理方法、半導体素子の製造方法	2013年 7月 3日
特許 5213095	単結晶炭化ケイ素基板の表面平坦化方法、単結晶炭化ケイ素基板の製造方法、及び単結晶炭化ケイ素基板	2013年 6月19日
特許 5213096	単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長方法、単結晶炭化ケイ素基板の製造方法、及び単結晶炭化ケイ素基板	2013年 6月19日
特許 5207427	単結晶炭化ケイ素の液相生成方法、単結晶炭化ケイ素基板の液相エピタキシャル生成方法、単結晶炭化ケイ素基板の生成方法	2013年 6月12日
特許 5164121	単結晶炭化ケイ素成長方法	2013年 3月13日	共同出願
特許 5152715	三次元微細加工方法及び三次元微細構造	2013年 2月27日
特許 5152887	単結晶炭化ケイ素基板の表面改質方法、単結晶炭化ケイ素薄膜の形成方法、イオン注入アニール方法及び単結晶炭化ケイ素基板、単結晶炭化ケイ素半導体基板	2013年 2月27日

15 件中 1-15 件を表示

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5376477 5360639 5311806 5303758 5267902 5267945 5258798 5251015 5224256 5213095 5213096 5207427 5164121 5152715 5152887

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