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■ 2017年 出願公開件数ランキング 第1443位 16件
(
2016年:第2422位 8件)
■ 2017年 特許取得件数ランキング 第2791位 5件
(
2016年:第9246位 1件)
(ランキング更新日:2026年10月23日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2017-225124 | 高速パルス変調システム | 2017年12月21日 | |
| 特開 2017-199371 | ハイエンドマイクロコントローラ用のマルチダイにおけるスケーラブルなマルチコア型のシステムオンチップアーキテクチャ | 2017年11月 2日 | |
| 特開 2017-194466 | 複数の信号経路を用いたセンサ自己診断 | 2017年10月26日 | |
| 特開 2017-183707 | 電子デバイス基板およびその製造方法 | 2017年10月 5日 | |
| 特開 2017-151104 | 出力を提供するための可変の切換閾値の使用 | 2017年 8月31日 | |
| 特開 2017-151105 | 磁気角度位置センサ | 2017年 8月31日 | |
| 特開 2017-153082 | センサデバイスから電子制御ユニットへデータを伝送する方法、センサデバイスおよび電子制御ユニット | 2017年 8月31日 | |
| 特開 2017-142252 | 破損検出を備えた半導体チップ | 2017年 8月17日 | |
| 特開 2017-142876 | 記憶素子状態の検出 | 2017年 8月17日 | |
| 特開 2017-112375 | 磁気抵抗構造を有する磁気センサデバイス、および、磁気抵抗構造を有する磁気センサデバイスのための方法 | 2017年 6月22日 | |
| 特表 2017-506341 | 従属故障の検出 | 2017年 3月 2日 | |
| 特開 2017-34254 | ウェハ構造体の形成方法、半導体デバイスの形成方法およびウェハ構造体 | 2017年 2月 9日 | |
| 特開 2017-34255 | 半導体デバイスの形成方法および半導体デバイス | 2017年 2月 9日 | |
| 特開 2017-22381 | スイッチング可能ダイオード領域およびスイッチング不能ダイオード領域を備えた半導体デバイス | 2017年 1月26日 | |
| 特開 2017-22705 | オーバーシュート補償回路 | 2017年 1月26日 |
16 件中 1-15 件を表示
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2017-225124 2017-199371 2017-194466 2017-183707 2017-151104 2017-151105 2017-153082 2017-142252 2017-142876 2017-112375 2017-506341 2017-34254 2017-34255 2017-22381 2017-22705
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