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サンエディソン・セミコンダクター・リミテッド
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■ 2019年 出願公開件数ランキング 第2176位 10件
（
2018年：第1721位 13件）
■ 2019年 特許取得件数ランキング 第1635位 10件
（
2018年：第2192位 7件）
（ランキング更新日：2025年3月26日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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サンエディソン・セミコンダクター・リミテッドの商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2019-195066 | 多層構造体 | 2019年11月 7日 | |
| 特開 2019-178064 | 半径方向の拡張により歪が低減されたヘテロ構造を準備するプロセスおよび装置 | 2019年10月17日 | |
| 特開 2019-165242 | 半導体基板に応力を加える装置 | 2019年 9月26日 | |
| 特開 2019-153797 | 膜応力を制御可能なシリコン基板の上に電荷トラップ用多結晶シリコン膜を成長させる方法 | 2019年 9月12日 | |
| 特開 2019-153801 | 凹所およびキャップを有する、中心部が可撓性の片面研磨ヘッド | 2019年 9月12日 | |
| 特開 2019-125793 | 基板上の窒化ホウ素およびグラフェンの直接および連続形成 | 2019年 7月25日 | |
| 特開 2019-59666 | 粒状材料中のダストを低減するためのシステムおよび方法 | 2019年 4月18日 | |
| 特開 2019-41115 | 高抵抗率ＳＯＩウエハおよびその製造方法 | 2019年 3月14日 | |
| 特開 2019-31436 | 低酸素シリコンインゴットの製造方法 | 2019年 2月28日 | |
| 特開 2019-4173 | 熱処理により不活性な酸素析出核を活性化する高析出密度ウエハの製造 | 2019年 1月10日 |
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2019-195066 2019-178064 2019-165242 2019-153797 2019-153801 2019-125793 2019-59666 2019-41115 2019-31436 2019-4173
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