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■ 2018年 出願公開件数ランキング 第1627位 13件
(
2017年:第2656位 7件)
■ 2018年 特許取得件数ランキング 第2192位 7件
(
2017年:第3281位 4件)
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| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特表 2018-537844 | 多結晶仕上げを有する半導体ウエハを処理する方法 | 2018年12月20日 | |
| 特表 2018-531323 | CVD装置 | 2018年10月25日 | |
| 特表 2018-525317 | チャンクポリシリコンまたは粒状ポリシリコンを結晶成長チャンバの中に選択的に供給するためのシステム | 2018年 9月 6日 | |
| 特開 2018-129514 | 半径方向の拡張により歪が低減されたヘテロ構造を準備するプロセスおよび装置 | 2018年 8月16日 | |
| 特表 2018-520509 | 半導体・オン・インシュレータの製造方法 | 2018年 7月26日 | |
| 特表 2018-520510 | シリコンゲルマニウム・オン・インシュレータの製造方法 | 2018年 7月26日 | |
| 特開 2018-117130 | 半導体基板に応力を加える装置 | 2018年 7月26日 | |
| 特表 2018-518050 | 多結晶仕上げを有する半導体ウエハを処理する方法 | 2018年 7月 5日 | |
| 特開 2018-85536 | 多層半導体デバイス作製時の低温層転写方法 | 2018年 5月31日 | |
| 特表 2018-509002 | 半導体オン・インシュレータ構造の製造において使用するための熱的に安定した電荷トラップ層 | 2018年 3月29日 | |
| 特開 2018-50052 | 基板上の窒化ホウ素およびグラフェンの直接および連続形成 | 2018年 3月29日 | |
| 特表 2018-507562 | 膜応力を制御可能なシリコン基板の上に電荷トラップ用多結晶シリコン膜を成長させる方法 | 2018年 3月15日 | |
| 特表 2018-504777 | 半導体構造上にエピタキシャルスムージング加工を実行するためのシステムおよび方法 | 2018年 2月15日 |
13 件中 1-13 件を表示
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2018-537844 2018-531323 2018-525317 2018-129514 2018-520509 2018-520510 2018-117130 2018-518050 2018-85536 2018-509002 2018-50052 2018-507562 2018-504777
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