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(
2018年:第1721位 13件)
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2018年:第2192位 7件)
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| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 6592534 | 多層構造体及びその製造方法 | 2019年10月16日 | |
| 特許 6567208 | 基板上の窒化ホウ素およびグラフェンの直接および連続形成 | 2019年 8月28日 | |
| 特許 6545842 | 半径方向の拡張により歪が低減されたヘテロ構造を準備するプロセスおよび装置 | 2019年 7月17日 | |
| 特許 6533309 | 多層構造体の製造方法 | 2019年 6月19日 | |
| 特許 6517360 | 膜応力を制御可能なシリコン基板の上に電荷トラップ用多結晶シリコン膜を成長させる方法 | 2019年 5月22日 | |
| 特許 6487454 | 層状半導体構造体の製造方法 | 2019年 3月20日 | |
| 特許 6488350 | 基板上の窒化ホウ素およびグラフェンの直接および連続形成 | 2019年 3月20日 | |
| 特許 6461900 | 粒状材料中のダストを低減するためのシステムおよび方法 | 2019年 1月30日 | |
| 特許 6454411 | 高抵抗率シリコンオンインシュレータ基板の製造方法 | 2019年 1月16日 | |
| 特許 6454716 | 高抵抗率SOIウエハおよびその製造方法 | 2019年 1月16日 |
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6592534 6567208 6545842 6533309 6517360 6487454 6488350 6461900 6454411 6454716
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