特許ランキング - 出願人詳細情報 -

サンエディソン・セミコンダクター・リミテッド

※ ログインすれば出願人(サンエディソン・セミコンダクター・リミテッド)をリストに登録できます。ログインについて

　■　2016年出願公開件数ランキング　　　第1667位　14件（2015年：第7196位　2件）

　■　2016年特許取得件数ランキング　　　第24808位　0件（2015年：第23268位　0件）

（ランキング更新日：2025年3月26日）筆頭出願人である出願のみカウントしています

2011年 2012年 2013年 2014年 2015年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年 2025年

サンエディソン・セミコンダクター・リミテッドの商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特表 2016-526783	チョクラルスキ法で成長したインゴットからスライスされた高ドープシリコンウエハ中の酸素析出	2016年 9月 5日
特表 2016-526286	基板上の窒化ホウ素およびグラフェンの直接および連続形成	2016年 9月 1日
特表 2016-519049	低酸素シリコンインゴットの製造方法	2016年 6月30日
特表 2016-516566	粒状材料中のダストを低減するためのシステムおよび方法	2016年 6月 9日
特表 2016-516304	ライトポイント欠陥と表面粗さを低減するための半導体オンインシュレータウエハの製造方法	2016年 6月 2日
特表 2016-511532	半径方向の拡張により歪が低減されたヘテロ構造を準備するプロセスおよび装置	2016年 4月14日
特表 2016-508291	多層半導体デバイス作製時の低温層転写方法	2016年 3月17日
特表 2016-507895	半径方向の圧縮により歪が低減されたヘテロ構造を準備するプロセスおよび装置	2016年 3月10日
特表 2016-505394	プラテンの平行度を制御した両面研磨機	2016年 2月25日
特表 2016-505214	エピタキシャル後反りの予測および制御方法	2016年 2月18日
特表 2016-504759	熱処理により不活性な酸素析出核を活性化する高析出密度ウエハの製造	2016年 2月12日
特表 2016-503238	半導体基板に応力を加える装置	2016年 2月 1日
特表 2016-501824	ドーパントを投入し注入するためのドーパント漏斗	2016年 1月21日
特開 2016-12723	エピタキシャル反応炉の温度制御システムおよび方法	2016年 1月21日

14 件中 1-14 件を表示

※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。

このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー

2016-526783 2016-526286 2016-519049 2016-516566 2016-516304 2016-511532 2016-508291 2016-507895 2016-505394 2016-505214 2016-504759 2016-503238 2016-501824 2016-12723

※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。サンエディソン・セミコンダクター・リミテッドの知財の動向チェックに便利です。

ログインについて

ランキング一覧に戻る

特許ランキング

2025年特許出願件数	2025年特許取得件数
2024年特許出願件数	2024年特許取得件数
2023年特許出願件数	2023年特許取得件数
2022年特許出願件数	2022年特許取得件数
2021年特許出願件数	2021年特許取得件数
2020年特許出願件数	2020年特許取得件数
2019年特許出願件数	2019年特許取得件数
2018年特許出願件数	2018年特許取得件数
2017年特許出願件数	2017年特許取得件数
2015年特許出願件数	2015年特許取得件数
2014年特許出願件数	2014年特許取得件数
2013年特許出願件数	2013年特許取得件数
2012年特許出願件数	2012年特許取得件数
2011年特許出願件数	2011年特許取得件数