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サンエディソン・セミコンダクター・リミテッド

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  2016年 出願公開件数ランキング    第1667位 14件 上昇2015年:第7196位 2件)

  2016年 特許取得件数ランキング    第24808位 0件 下降2015年:第23268位 0件)

(ランキング更新日:2026年2月17日)筆頭出願人である出願のみカウントしています

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特表 2016-526783 チョクラルスキ法で成長したインゴットからスライスされた高ドープシリコンウエハ中の酸素析出 2016年 9月 5日
特表 2016-526286 基板上の窒化ホウ素およびグラフェンの直接および連続形成 2016年 9月 1日
特表 2016-519049 低酸素シリコンインゴットの製造方法 2016年 6月30日
特表 2016-516566 粒状材料中のダストを低減するためのシステムおよび方法 2016年 6月 9日
特表 2016-516304 ライトポイント欠陥と表面粗さを低減するための半導体オンインシュレータウエハの製造方法 2016年 6月 2日
特表 2016-511532 半径方向の拡張により歪が低減されたヘテロ構造を準備するプロセスおよび装置 2016年 4月14日
特表 2016-508291 多層半導体デバイス作製時の低温層転写方法 2016年 3月17日
特表 2016-507895 半径方向の圧縮により歪が低減されたヘテロ構造を準備するプロセスおよび装置 2016年 3月10日
特表 2016-505394 プラテンの平行度を制御した両面研磨機 2016年 2月25日
特表 2016-505214 エピタキシャル後反りの予測および制御方法 2016年 2月18日
特表 2016-504759 熱処理により不活性な酸素析出核を活性化する高析出密度ウエハの製造 2016年 2月12日
特表 2016-503238 半導体基板に応力を加える装置 2016年 2月 1日
特表 2016-501824 ドーパントを投入し注入するためのドーパント漏斗 2016年 1月21日
特開 2016-12723 エピタキシャル反応炉の温度制御システムおよび方法 2016年 1月21日

14 件中 1-14 件を表示

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2016-526783 2016-526286 2016-519049 2016-516566 2016-516304 2016-511532 2016-508291 2016-507895 2016-505394 2016-505214 2016-504759 2016-503238 2016-501824 2016-12723

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