ホーム > 特許ランキング > エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド > 2013年 > 特許一覧
エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド
※ ログインすれば出願人(エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド)をリストに登録できます。ログインについて
■ 2013年 出願公開件数ランキング 第1216位 24件
（
2012年：第2159位 10件）
■ 2013年 特許取得件数ランキング 第2264位 9件
（2012年：第3300位 5件）
（ランキング更新日：2025年2月21日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
2011年 2012年 2014年 2015年 2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年 2025年
エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッドの商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5349680 | 引いた対象物を重量測定するためのシステムおよび方法 | 2013年11月20日 | |
| 特許 5344822 | 成長するシリコン結晶のメルト−固体界面形状の可変磁界を用いる制御 | 2013年11月20日 | |
| 特許 5261194 | 高い熱伝導率を有する半導体ウエハ | 2013年 8月14日 | |
| 特許 5238258 | 高純度顆粒状シリコン及びその製造方法 | 2013年 7月17日 | |
| 特許 5237390 | 改善された膜厚均一性を有するエピタキシャルバレルサセプタ | 2013年 7月17日 | |
| 特許 5238251 | シリコンウエハ中の金属汚染低減のための方法 | 2013年 7月17日 | |
| 特許 5231449 | 平滑なウェハの製造方法 | 2013年 7月10日 | |
| 特許 5138678 | ＣＺ成長中のシリコン単結晶側表面から誘起される凝集点欠陥および酸素クラスターの形成制御 | 2013年 2月 6日 | |
| 特許 5127451 | 部分的に失透化させたルツボ | 2013年 1月23日 |
9 件中 1-9 件を表示
※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。
このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー
5349680 5344822 5261194 5238258 5237390 5238251 5231449 5138678 5127451
※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッドの知財の動向チェックに便利です。
特許ランキング
2月22日(土) - 東京 板橋区
2月22日(土) - 東京 板橋区
2月25日(火) -
2月25日(火) -
2月26日(水) -
2月26日(水) -
2月26日(水) - 東京 港区
2月26日(水) -
2月26日(水) - 千葉 船橋市
2月27日(木) -
2月27日(木) -
2月27日(木) - 東京 港区
2月27日(木) -
2月27日(木) - 東京 千代田区
2月25日(火) -
特許事務所紹介 IP Force 特許事務所紹介
〒951-8152 新潟県新潟市中央区信濃町21番7号 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
〒060-0002 札幌市中央区北2条西3丁目1番地太陽生命札幌ビル7階 特許・実用新案 商標 外国特許 訴訟 鑑定 コンサルティング
バーチャルオフィス化に伴い、お客様、お取引先様には個別にご案内させていただいております。 特許・実用新案 商標 外国特許 外国商標 コンサルティング
