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エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド
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■ 2016年 出願公開件数ランキング 第33513位 0件
（
2015年：第5202位 3件）
■ 2016年 特許取得件数ランキング 第1862位 10件
（
2015年：第2016位 8件）
（ランキング更新日：2025年8月25日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッドの商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 6038201 | 反応炉壁へのシリコンの析出を低減する流動層反応炉システム及び方法 | 2016年12月 7日 | |
| 特許 6013317 | 同時両面ウエハ研削盤における静水圧パッド圧力調節 | 2016年10月25日 | |
| 特許 6009557 | 気泡塔でシランを製造する方法 | 2016年10月19日 | |
| 特許 5998225 | 結晶関連欠陥の位置を示す方法 | 2016年 9月28日 | |
| 特許 5995888 | 欠陥密度が低い単結晶シリコンから得られるシリコン・オン・インシュレーター構造体 | 2016年 9月21日 | |
| 特許 5989642 | シリコン・オン・インシュレータウエハをインサイチュで不導体化する方法 | 2016年 9月 7日 | |
| 特許 5976013 | ＳＯＩ構造体のデバイス層中の金属含有量の減少方法、およびこのような方法により製造されるＳＯＩ構造体 | 2016年 8月23日 | |
| 特許 5956461 | 不均化操作を伴う実質的に閉ループの方法における多結晶シリコンの製造 | 2016年 7月27日 | |
| 特許 5946835 | 実質的に閉ループの方法およびシステムにおける多結晶シリコンの製造 | 2016年 7月 6日 | |
| 特許 5859566 | 多数のカメラを用いる結晶の成長特性計測方法 | 2016年 2月10日 |
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6038201 6013317 6009557 5998225 5995888 5989642 5976013 5956461 5946835 5859566
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