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エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド
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■ 2014年 出願公開件数ランキング 第2283位 9件
（
2013年：第1216位 24件）
■ 2014年 特許取得件数ランキング 第2498位 8件
（2013年：第2264位 9件）
（ランキング更新日：2025年10月10日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッドの商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特表 2014-532992 | 結合ウェハ構造体を劈開させるための固定装置及び劈開方法 | 2014年12月 8日 | |
| 特表 2014-531379 | 気泡塔でシランを製造する方法 | 2014年11月27日 | |
| 特開 2014-135498 | 欠陥密度が低い単結晶シリコンから得られるシリコン・オン・インシュレーター構造体 | 2014年 7月24日 | |
| 特表 2014-512091 | ハンドルウエハ内に高抵抗率領域を有するシリコン・オン・インシュレータ構造体およびそのような構造体の製法 | 2014年 5月19日 | |
| 特開 2014-73963 | 高成長速度を用いた低欠陥密度シリコンの製造方法 | 2014年 4月24日 | |
| 特表 2014-508405 | ＳＯＩ構造体のデバイス層中の金属含有量の減少方法、およびこのような方法により製造されるＳＯＩ構造体 | 2014年 4月 3日 | |
| 特表 2014-505649 | 不均化操作を伴う実質的に閉ループの方法における多結晶シリコンの製造 | 2014年 3月 6日 | |
| 特表 2014-505353 | 平坦なドーパント深さプロファイルを有する半導体ウエハのアニール方法 | 2014年 2月27日 | |
| 特表 2014-501220 | 多数のカメラを用いる結晶の成長特性計測方法 | 2014年 1月20日 |
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2014-532992 2014-531379 2014-135498 2014-512091 2014-73963 2014-508405 2014-505649 2014-505353 2014-501220
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