ホーム > 特許ランキング > エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド > 2014年 > 出願公開一覧
エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド
※ ログインすれば出願人(エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド)をリストに登録できます。ログインについて
■ 2014年 出願公開件数ランキング 第2283位 9件
（
2013年：第1216位 24件）
■ 2014年 特許取得件数ランキング 第2498位 8件
（2013年：第2264位 9件）
（ランキング更新日：2025年6月3日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
2011年 2012年 2013年 2015年 2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年 2025年
エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッドの商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特表 2014-532992 | 結合ウェハ構造体を劈開させるための固定装置及び劈開方法 | 2014年12月 8日 | |
| 特表 2014-531379 | 気泡塔でシランを製造する方法 | 2014年11月27日 | |
| 特開 2014-135498 | 欠陥密度が低い単結晶シリコンから得られるシリコン・オン・インシュレーター構造体 | 2014年 7月24日 | |
| 特表 2014-512091 | ハンドルウエハ内に高抵抗率領域を有するシリコン・オン・インシュレータ構造体およびそのような構造体の製法 | 2014年 5月19日 | |
| 特開 2014-73963 | 高成長速度を用いた低欠陥密度シリコンの製造方法 | 2014年 4月24日 | |
| 特表 2014-508405 | ＳＯＩ構造体のデバイス層中の金属含有量の減少方法、およびこのような方法により製造されるＳＯＩ構造体 | 2014年 4月 3日 | |
| 特表 2014-505649 | 不均化操作を伴う実質的に閉ループの方法における多結晶シリコンの製造 | 2014年 3月 6日 | |
| 特表 2014-505353 | 平坦なドーパント深さプロファイルを有する半導体ウエハのアニール方法 | 2014年 2月27日 | |
| 特表 2014-501220 | 多数のカメラを用いる結晶の成長特性計測方法 | 2014年 1月20日 |
9 件中 1-9 件を表示
※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。
このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー
2014-532992 2014-531379 2014-135498 2014-512091 2014-73963 2014-508405 2014-505649 2014-505353 2014-501220
※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッドの知財の動向チェックに便利です。
特許ランキング
6月4日(水) -
6月4日(水) -
6月4日(水) -
6月5日(木) -
6月6日(金) -
6月10日(火) -
6月10日(火) -
6月11日(水) -
6月11日(水) -
6月12日(木) -
6月13日(金) -
6月13日(金) -
6月13日(金) -
6月10日(火) -
特許事務所紹介 IP Force 特許事務所紹介
バーチャルオフィス化（個人宅をワークスペースにしております）に伴い、お客様、お取引先様には個別にご案内させていただいております。 特許・実用新案 商標 外国特許 外国商標 コンサルティング
〒141-0031 東京都品川区西五反田3-6-20 いちご西五反田ビル8F 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
東京都港区新橋6-20-4 新橋パインビル5階 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 訴訟 鑑定 コンサルティング
