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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第1750位 13件 (2010年:第2670位 8件)
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第2601位 7件 (2010年:第1644位 12件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
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特表 2011-530474 | 時間的に変化する磁場の印加による溶融シリコン中でのポンプ力の形成 | 2011年12月22日 | |
特表 2011-527109 | 低熱容量半導体ウェハサポート | 2011年10月20日 | |
特表 2011-526876 | アンバランス磁場及び同方向回転を用いた成長シリコン結晶の融液−固体界面形状の制御方法 | 2011年10月20日 | |
特表 2011-526877 | 反応炉壁へのシリコンの析出を低減する流動層反応炉システム及び方法 | 2011年10月20日 | |
特表 2011-526239 | シリコン微粒子のリサイクルにより多結晶シリコン反応炉の生産性を向上させる方法 | 2011年10月 6日 | |
特表 2011-522393 | サポートボスを有するサセプタ | 2011年 7月28日 | |
特表 2011-522416 | 半導体ウェハの研磨装置及び研磨方法 | 2011年 7月28日 | |
特表 2011-521442 | シリコンウェハの端部をエッチングするための方法 | 2011年 7月21日 | |
特表 2011-512036 | インゴットをワイヤーソーによりスライスしてウェハとする際に使用される、カーボンナノチューブで強化されたワイヤーソー梁部 | 2011年 4月14日 | |
特表 2011-508455 | 改善された膜厚均一性を有するエピタキシャルバレルサセプタ | 2011年 3月10日 | |
特表 2011-507719 | ゆがみデータからのフィードバックを用いたナノトポグラフィーの制御及び最適化 | 2011年 3月10日 | |
特表 2011-504156 | 四フッ化ケイ素の精製方法 | 2011年 2月 3日 | |
特表 2011-502941 | 略不溶性ガスの融液への溶け込みを防止することによりシリコン結晶におけるエアーポケットを低減させる方法 | 2011年 1月27日 |
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2011-530474 2011-527109 2011-526876 2011-526877 2011-526239 2011-522393 2011-522416 2011-521442 2011-512036 2011-508455 2011-507719 2011-504156 2011-502941
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