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出願人名に「トゥー‐シックス・インコーポレイテッド」を含むもの
| 公報番号 | 発明の名称 | 出願人 | 公報発行日 |
|---|---|---|---|
| 特表 2012-521948 | ＳｉＣ単結晶の昇華成長方法及び装置 | トゥー‐シックス・インコーポレイテッド | 2012年 9月20日 |
| 特表 2012-510951 | 向上した軸勾配輸送（ＡＧＴ）成長方法、及び抵抗加熱を利用した装置 | トゥー‐シックス・インコーポレイテッド | 2012年 5月17日 |
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2012-521948 2012-510951
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