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公報番号 | 発明の名称 | 出願人 | 公報発行日 |
---|---|---|---|
特開 2014-208590 | 低転位密度のSiC単結晶ブール及びその形成方法 | トゥー‐シックス・インコーポレイテッド | 2014年11月 6日 |
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3月26日(水) - 東京 港区
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4月1日(火) - 山口 山口市
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