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株式会社サイオクス

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　■　2015年出願公開件数ランキング　　　第1382位　18件（2014年：　0件）

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株式会社サイオクスの商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特開 2015-231943	窒化ガリウム基板の製造方法	2015年12月24日
特開 2015-233089	化合物半導体素子用エピタキシャルウェハ及び化合物半導体素子	2015年12月24日
特開 2015-233097	半導体積層構造およびその製造方法	2015年12月24日
特開 2015-224143	ＩＩＩ族窒化物基板の製造方法	2015年12月14日
特開 2015-225883	ヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハ及びヘテロ接合バイポーラトランジスタ	2015年12月14日
特開 2015-225884	ヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハ及びヘテロ接合バイポーラトランジスタ	2015年12月14日
特開 2015-199663	窒化物半導体エピタキシャル基板の製造方法、及び窒化物半導体デバイスの製造方法	2015年11月12日
特開 2015-177152	窒化物半導体積層物および半導体装置	2015年10月 5日
特開 2015-173273	半導体ウエハの製造方法および半導体デバイスの製造方法	2015年10月 1日
特開 2015-168583	ルツボ支持体、及び単結晶の製造方法	2015年 9月28日
特開 2015-166293	ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法、ＩＩＩ族窒化物結晶、半導体装置およびＩＩＩ族窒化物結晶製造装置	2015年 9月24日
特開 2015-162622	基板評価装置及び基板評価方法	2015年 9月 7日
特開 2015-157714	結晶製造装置	2015年 9月 3日
特開 2015-159207	半導体エピタキシャルウエハおよび半導体装置	2015年 9月 3日
特開 2015-159334	窒化物半導体基板の製造方法	2015年 9月 3日

19 件中 1-15 件を表示

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2015-231943 2015-233089 2015-233097 2015-224143 2015-225883 2015-225884 2015-199663 2015-177152 2015-173273 2015-168583 2015-166293 2015-162622 2015-157714 2015-159207 2015-159334

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