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■ 2020年 出願公開件数ランキング 第779位 36件
(2019年:第912位 32件)
■ 2020年 特許取得件数ランキング 第1115位 17件
(2019年:第1357位 13件)
(ランキング更新日:2025年3月28日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2020-189762 | 窒化物半導体基板の製造方法、窒化物半導体基板および積層構造体 | 2020年11月26日 | |
特開 2020-184601 | 構造体の製造方法および中間構造体 | 2020年11月12日 | |
特開 2020-184605 | 構造体の製造方法および中間構造体 | 2020年11月12日 | |
特開 2020-184606 | 構造体の製造方法と製造装置および中間構造体 | 2020年11月12日 | |
特開 2020-184618 | 構造体の製造方法 | 2020年11月12日 | |
特開 2020-182002 | 窒化物半導体テンプレートおよび窒化物半導体デバイス | 2020年11月 5日 | |
特開 2020-164356 | GaN結晶、GaN自立基板、GaN結晶成長用種基板、GaN結晶の製造方法およびGaN自立基板の製造方法 | 2020年10月 8日 | |
特開 2020-132441 | 窒化アルミニウム積層部材および窒化アルミニウム層 | 2020年 8月31日 | |
特開 2020-132513 | 窒化アルミニウム積層部材および発光デバイス | 2020年 8月31日 | |
特開 2020-136476 | III族窒化物半導体装置およびエッチング装置 | 2020年 8月31日 | |
特開 2020-125215 | 窒化物半導体基板、積層構造体、および窒化物半導体基板の製造方法 | 2020年 8月20日 | |
特開 2020-125233 | 窒化物半導体基板 | 2020年 8月20日 | |
特開 2020-107721 | 構造体の製造方法および構造体の製造装置 | 2020年 7月 9日 | |
特開 2020-97510 | 窒化物半導体基板の製造方法、および窒化物半導体基板 | 2020年 6月25日 | |
特開 2020-96015 | 構造体の製造方法と製造装置、および光照射装置 | 2020年 6月18日 |
36 件中 1-15 件を表示
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2020-189762 2020-184601 2020-184605 2020-184606 2020-184618 2020-182002 2020-164356 2020-132441 2020-132513 2020-136476 2020-125215 2020-125233 2020-107721 2020-97510 2020-96015
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