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株式会社サイオクス

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 ■ 2021年 出願公開件数ランキング    第1035位 23件 (下降2020年:第736位 36件)

 ■ 2021年 特許取得件数ランキング    第959位 21件 (上昇2020年:第1115位 17件)

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特開 2021-183559 窒化物半導体基板、および窒化物半導体基板の製造方法 2021年12月 2日
特開 2021-183551 13族窒化物結晶の製造方法 2021年12月 2日
特開 2021-147264 窒化物結晶基板の製造方法、積層構造体の製造方法、窒化物結晶基板および積層構造体 2021年 9月27日
特開 2021-132209 研磨用パッド、および導電性半導体基板の製造方法 2021年 9月 9日
特開 2021-130585 窒化ガリウム結晶の製造方法 2021年 9月 9日
特開 2021-130584 結晶基板および結晶基板の製造方法 2021年 9月 9日
特開 2021-129100 構造体の製造方法および製造装置 2021年 9月 2日
特開 2021-129096 構造体の製造方法 2021年 9月 2日
特開 2021-109813 窒化物結晶基板の製造方法、窒化物結晶基板および積層構造体 2021年 8月 2日
特開 2021-82781 III族窒化物積層基板および半導体発光素子 2021年 5月27日
特開 2021-80144 III族窒化物積層基板および半導体素子 2021年 5月27日
特開 2021-77818 半導体装置、および、構造体の製造方法 2021年 5月20日
特開 2021-63007 窒化物半導体積層物および半導体装置 2021年 4月22日
特開 2021-57614 構造体の製造方法および構造体の製造装置 2021年 4月 8日
特開 2021-54699 窒化物半導体積層構造、窒化物半導体発光素子および窒化物半導体積層構造の製造方法 2021年 4月 8日

23 件中 1-15 件を表示

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2021-183559 2021-183551 2021-147264 2021-132209 2021-130585 2021-130584 2021-129100 2021-129096 2021-109813 2021-82781 2021-80144 2021-77818 2021-63007 2021-57614 2021-54699

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