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株式会社サイオクス

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　■　2019年出願公開件数ランキング　　　第912位　32件（2018年：第1087位　24件）

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株式会社サイオクスの商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特開 2019-214496	窒化物結晶基板およびその製造方法	2019年12月19日
特開 2019-199373	窒化物半導体積層物の製造方法、窒化物半導体積層物、膜質検査方法および半導体成長装置の検査方法	2019年11月21日
特開 2019-199376	窒化物結晶基板および窒化物結晶基板の製造方法	2019年11月21日
特開 2019-201132	ヘテロ接合バイポーラトランジスタ用ウエハおよびヘテロ接合バイポーラトランジスタ	2019年11月21日
特開 2019-197808	窒化ガリウム積層基板および半導体装置	2019年11月14日
特開 2019-197873	窒化物半導体テンプレート、および、それを用いて製造されたデバイス	2019年11月14日
再表 2018-123285	ＩＩＩ族窒化物積層体の製造方法、検査方法、および、ＩＩＩ族窒化物積層体	2019年10月31日
特開 2019-186263	導電層を備える積層体、半導体装置、および、それらの製造方法	2019年10月24日
特開 2019-167294	結晶基板の製造方法および結晶基板	2019年10月 3日
特開 2019-163195	結晶基板の製造方法および結晶基板	2019年 9月26日
特開 2019-161074	圧電積層体、圧電積層体の製造方法および圧電素子	2019年 9月19日
特開 2019-161075	圧電積層体、圧電積層体の製造方法および圧電デバイス	2019年 9月19日
特開 2019-151518	ＧａＮ積層体およびその製造方法	2019年 9月12日
特開 2019-151540	ＧａＮ積層体およびその製造方法	2019年 9月12日
特開 2019-153679	ＧａＮ材料および半導体装置の製造方法	2019年 9月12日

34 件中 1-15 件を表示

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2019-214496 2019-199373 2019-199376 2019-201132 2019-197808 2019-197873 2018-123285 2019-186263 2019-167294 2019-163195 2019-161074 2019-161075 2019-151518 2019-151540 2019-153679

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