株式会社サイオクス
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■ 2019年 出願公開件数ランキング 第912位 32件
（
2018年：第1087位 24件）
■ 2019年 特許取得件数ランキング 第1357位 13件
（2018年：第2781位 5件）
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株式会社サイオクスの商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2019-214496 | 窒化物結晶基板およびその製造方法 | 2019年12月19日 | |
| 特開 2019-199373 | 窒化物半導体積層物の製造方法、窒化物半導体積層物、膜質検査方法および半導体成長装置の検査方法 | 2019年11月21日 | |
| 特開 2019-199376 | 窒化物結晶基板および窒化物結晶基板の製造方法 | 2019年11月21日 | |
| 特開 2019-201132 | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ用ウエハおよびヘテロ接合バイポーラトランジスタ | 2019年11月21日 | |
| 特開 2019-197808 | 窒化ガリウム積層基板および半導体装置 | 2019年11月14日 | |
| 特開 2019-197873 | 窒化物半導体テンプレート、および、それを用いて製造されたデバイス | 2019年11月14日 | |
| 再表 2018-123285 | ＩＩＩ族窒化物積層体の製造方法、検査方法、および、ＩＩＩ族窒化物積層体 | 2019年10月31日 | |
| 特開 2019-186263 | 導電層を備える積層体、半導体装置、および、それらの製造方法 | 2019年10月24日 | |
| 特開 2019-167294 | 結晶基板の製造方法および結晶基板 | 2019年10月 3日 | |
| 特開 2019-163195 | 結晶基板の製造方法および結晶基板 | 2019年 9月26日 | |
| 特開 2019-161074 | 圧電積層体、圧電積層体の製造方法および圧電素子 | 2019年 9月19日 | |
| 特開 2019-161075 | 圧電積層体、圧電積層体の製造方法および圧電デバイス | 2019年 9月19日 | |
| 特開 2019-151518 | ＧａＮ積層体およびその製造方法 | 2019年 9月12日 | |
| 特開 2019-151540 | ＧａＮ積層体およびその製造方法 | 2019年 9月12日 | |
| 特開 2019-153679 | ＧａＮ材料および半導体装置の製造方法 | 2019年 9月12日 |
34 件中 1-15 件を表示
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2019-214496 2019-199373 2019-199376 2019-201132 2019-197808 2019-197873 2018-123285 2019-186263 2019-167294 2019-163195 2019-161074 2019-161075 2019-151518 2019-151540 2019-153679
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