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株式会社サイオクス

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  2019年 特許取得件数ランキング    第1357位 13件 上昇2018年:第2781位 5件)

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特許 6625260 構造体の製造方法および構造体の製造装置 2019年12月25日
特許 6621615 13族窒化物単結晶の製造方法、および13族窒化物単結晶の製造装置 2019年12月18日
特許 6607993 圧電膜を有する積層基板、圧電膜を有する素子および圧電膜を有する積層基板の製造方法 2019年11月20日
特許 6604205 窒化物結晶基板の製造方法および結晶成長用基板 2019年11月13日
特許 6595676 窒化物半導体基板の製造方法、窒化物半導体基板および積層構造体 2019年10月23日
特許 6595677 窒化物半導体基板の製造方法、窒化物半導体基板および積層構造体 2019年10月23日
特許 6595678 窒化物半導体基板、窒化物半導体基板の製造方法および積層構造体 2019年10月23日
特許 6595689 窒化物半導体基板の製造方法、窒化物半導体基板および積層構造体 2019年10月23日
特許 6595731 窒化物半導体基板の製造方法、窒化物半導体基板および積層構造体 2019年10月23日
特許 6581614 半導体構造体の製造方法、検査方法、およびプログラム 2019年 9月25日
特許 6553765 結晶基板の製造方法および結晶基板 2019年 7月31日
特許 6548509 13族窒化物単結晶の製造方法、および13族窒化物単結晶の製造装置 2019年 7月24日
特許 6549768 GaN結晶 2019年 7月24日
特許 6502460 圧電薄膜付き積層基板および圧電薄膜素子 2019年 4月17日

14 件中 1-14 件を表示

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6625260 6621615 6607993 6604205 6595676 6595677 6595678 6595689 6595731 6581614 6553765 6548509 6549768 6502460

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