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■ 2019年 出願公開件数ランキング 第912位 32件 (2018年:第1087位 24件)
■ 2019年 特許取得件数ランキング 第1357位 13件 (2018年:第2781位 5件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 6625260 | 構造体の製造方法および構造体の製造装置 | 2019年12月25日 | |
特許 6621615 | 13族窒化物単結晶の製造方法、および13族窒化物単結晶の製造装置 | 2019年12月18日 | |
特許 6607993 | 圧電膜を有する積層基板、圧電膜を有する素子および圧電膜を有する積層基板の製造方法 | 2019年11月20日 | |
特許 6604205 | 窒化物結晶基板の製造方法および結晶成長用基板 | 2019年11月13日 | |
特許 6595676 | 窒化物半導体基板の製造方法、窒化物半導体基板および積層構造体 | 2019年10月23日 | |
特許 6595677 | 窒化物半導体基板の製造方法、窒化物半導体基板および積層構造体 | 2019年10月23日 | |
特許 6595678 | 窒化物半導体基板、窒化物半導体基板の製造方法および積層構造体 | 2019年10月23日 | |
特許 6595689 | 窒化物半導体基板の製造方法、窒化物半導体基板および積層構造体 | 2019年10月23日 | |
特許 6595731 | 窒化物半導体基板の製造方法、窒化物半導体基板および積層構造体 | 2019年10月23日 | |
特許 6581614 | 半導体構造体の製造方法、検査方法、およびプログラム | 2019年 9月25日 | |
特許 6553765 | 結晶基板の製造方法および結晶基板 | 2019年 7月31日 | |
特許 6548509 | 13族窒化物単結晶の製造方法、および13族窒化物単結晶の製造装置 | 2019年 7月24日 | |
特許 6549768 | GaN結晶 | 2019年 7月24日 | |
特許 6502460 | 圧電薄膜付き積層基板および圧電薄膜素子 | 2019年 4月17日 |
14 件中 1-14 件を表示
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6625260 6621615 6607993 6604205 6595676 6595677 6595678 6595689 6595731 6581614 6553765 6548509 6549768 6502460
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11月26日(火) - 東京 港区
11月26日(火) -
11月26日(火) -
11月26日(火) -
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11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月27日(水) -
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11月28日(木) - 京都 京都市
11月28日(木) -
11月28日(木) - 大阪 大阪市
11月28日(木) -
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11月30日(土) -
12月1日(日) -
12月1日(日) -
11月25日(月) -
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