株式会社サイオクス
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（
2021年：第1125位 23件）
■ 2022年 特許取得件数ランキング 第933位 24件
（
2021年：第959位 21件）
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株式会社サイオクスの商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 7181810 | 窒化物結晶 | 2022年12月 1日 | |
| 特許 7181052 | 構造体の製造方法および構造体の製造装置 | 2022年11月30日 | |
| 特許 7181321 | 窒化物半導体積層物 | 2022年11月30日 | |
| 特許 7181351 | 窒化物半導体基板、および窒化物半導体基板の製造方法 | 2022年11月30日 | |
| 特許 7176944 | 構造体の製造方法および構造体の製造装置 | 2022年11月22日 | |
| 特許 7170595 | ＧａＮ結晶 | 2022年11月14日 | |
| 特許 7166998 | 窒化物半導体基板 | 2022年11月 8日 | |
| 特許 7160562 | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ用ウエハおよびヘテロ接合バイポーラトランジスタ | 2022年10月25日 | |
| 特許 7150269 | 窒化ガリウム積層基板および半導体装置 | 2022年10月11日 | |
| 特許 7141849 | 窒化物結晶基板および窒化物結晶基板の製造方法 | 2022年 9月26日 | |
| 特許 7141984 | 結晶基板 | 2022年 9月26日 | |
| 特許 7112857 | ＧａＮ材料および半導体装置の製造方法 | 2022年 8月 4日 | |
| 特許 7112879 | 窒化物半導体積層物の製造方法、膜質検査方法および半導体成長装置の検査方法 | 2022年 8月 4日 | |
| 特許 7101736 | ＧａＮ単結晶基板および半導体積層物 | 2022年 7月15日 | |
| 特許 7084573 | 結晶積層体、半導体デバイスおよび半導体デバイスの製造方法 | 2022年 6月15日 |
27 件中 1-15 件を表示
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7181810 7181052 7181321 7181351 7176944 7170595 7166998 7160562 7150269 7141849 7141984 7112857 7112879 7101736 7084573
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