株式会社サイオクス
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（
2019年：第912位 32件）
■ 2020年 特許取得件数ランキング 第1115位 17件
（2019年：第1357位 13件）
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株式会社サイオクスの商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 6783063 | 窒化物半導体テンプレートおよび窒化物半導体積層物 | 2020年11月11日 | |
| 特許 6783269 | 窒化物結晶基板、半導体積層物、窒化物結晶基板の製造方法、半導体積層物の製造方法および半導体装置の製造方法 | 2020年11月11日 | |
| 特許 6781054 | 窒化物結晶基板および窒化物結晶基板の製造方法 | 2020年11月 4日 | |
| 特許 6781058 | 窒化物半導体基板の製造方法 | 2020年11月 4日 | |
| 特許 6761743 | 結晶成長用基板、窒化物結晶基板および窒化物結晶基板の製造方法 | 2020年 9月30日 | |
| 特許 6763540 | 半導体積層物の観察方法、観察装置、観察プログラム、および、半導体装置の製造方法 | 2020年 9月30日 | |
| 特許 6761322 | ＩＩＩ族窒化物基板の製造方法およびＩＩＩ族窒化物基板 | 2020年 9月23日 | |
| 特許 6735588 | 窒化物半導体テンプレート、窒化物半導体積層物、窒化物半導体テンプレートの製造方法、および窒化物半導体積層物の製造方法 | 2020年 8月 5日 | |
| 特許 6735647 | 窒化物結晶基板の製造方法 | 2020年 8月 5日 | |
| 特許 6731590 | 窒化物結晶基板の製造方法 | 2020年 7月29日 | |
| 特許 6714320 | １３族窒化物結晶の製造方法及び１３族窒化物結晶を有する積層体 | 2020年 6月24日 | |
| 特許 6714431 | 結晶基板の製造方法 | 2020年 6月24日 | |
| 特許 6694102 | 構造体の製造方法と製造装置および中間構造体 | 2020年 5月13日 | |
| 特許 6683972 | 半導体装置とその製造方法および半導体積層物 | 2020年 4月22日 | |
| 特許 6668316 | 窒化物半導体積層物および半導体装置 | 2020年 3月18日 |
22 件中 1-15 件を表示
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6783063 6783269 6781054 6781058 6761743 6763540 6761322 6735588 6735647 6731590 6714320 6714431 6694102 6683972 6668316
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