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株式会社サイオクス

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株式会社サイオクスの商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特許 6783063	窒化物半導体テンプレートおよび窒化物半導体積層物	2020年11月11日
特許 6783269	窒化物結晶基板、半導体積層物、窒化物結晶基板の製造方法、半導体積層物の製造方法および半導体装置の製造方法	2020年11月11日
特許 6781054	窒化物結晶基板および窒化物結晶基板の製造方法	2020年11月 4日
特許 6781058	窒化物半導体基板の製造方法	2020年11月 4日
特許 6761743	結晶成長用基板、窒化物結晶基板および窒化物結晶基板の製造方法	2020年 9月30日
特許 6763540	半導体積層物の観察方法、観察装置、観察プログラム、および、半導体装置の製造方法	2020年 9月30日
特許 6761322	ＩＩＩ族窒化物基板の製造方法およびＩＩＩ族窒化物基板	2020年 9月23日
特許 6735588	窒化物半導体テンプレート、窒化物半導体積層物、窒化物半導体テンプレートの製造方法、および窒化物半導体積層物の製造方法	2020年 8月 5日
特許 6735647	窒化物結晶基板の製造方法	2020年 8月 5日
特許 6731590	窒化物結晶基板の製造方法	2020年 7月29日
特許 6714320	１３族窒化物結晶の製造方法及び１３族窒化物結晶を有する積層体	2020年 6月24日
特許 6714431	結晶基板の製造方法	2020年 6月24日
特許 6694102	構造体の製造方法と製造装置および中間構造体	2020年 5月13日
特許 6683972	半導体装置とその製造方法および半導体積層物	2020年 4月22日
特許 6668316	窒化物半導体積層物および半導体装置	2020年 3月18日

22 件中 1-15 件を表示

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6783063 6783269 6781054 6781058 6761743 6763540 6761322 6735588 6735647 6731590 6714320 6714431 6694102 6683972 6668316

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