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シリコン ストーリッジ テクノロージー インコーポレイテッド

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  2024年 出願公開件数ランキング    第805位 29件 下降2023年:第725位 39件)

  2024年 特許取得件数ランキング    第729位 30件 下降2023年:第571位 47件)

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特許 7474870 ソース線プルダウン機構を備えた人工ニューラルネットワーク内のアナログニューラルメモリアレイ 2024年 4月25日
特許 7474871 論理セル及び改善されたプログラミング機構を備える人工ニューラルネットワーク内のアナログニューラルメモリアレイ 2024年 4月25日
特許 7474876 ランダムテレグラフノイズを呈するメモリセルのプログラム調整による、アナログ不揮発性メモリにおける読み出し電流の安定性を改善する方法 2024年 4月25日
特許 7473570 スペーサ画定された浮遊ゲート及び離散的に形成されたポリシリコンゲートを有する分割ゲートフラッシュメモリセルを形成する方法 2024年 4月23日
特許 7464623 アナログニューラルメモリシステム 2024年 4月 9日
特許 7464681 フラッシュメモリセル内のデータを読み出すための改善された感知増幅器回路 2024年 4月 9日
特許 7448674 フラッシュメモリセルで形成されたEEPROMエミュレータにおけるウェアレベリング 2024年 3月12日
特許 7438353 集積回路のための低電圧レベルシフタ 2024年 2月26日
特許 7428820 適応型重みマッピング及び分散電力を有する実質的に一定のアレイソースインピーダンスを有する人工ニューラルネットワーク内のアナログニューラルメモリアレイ 2024年 2月 6日
特許 7426505 ソース線プルダウン回路においてストラップセルを使用する不揮発性メモリシステム 2024年 2月 1日
特許 7425927 導電性ブロックにシリサイドを備える基板にメモリセル、高電圧デバイス、及び論理デバイスを作製する方法 2024年 1月31日
特許 7425929 平面状のスプリットゲート不揮発性メモリセル、高電圧デバイス、及びFINFET論理デバイスを有するデバイスを形成する方法 2024年 1月31日
特許 7418432 拡張ソース線FinFETを備えたFinFETベースのスプリットゲート不揮発性フラッシュメモリ、及び製造方法 2024年 1月19日
特許 7418602 深層学習人工ニューラルネットワークにおけるアナログニューラルメモリセルの超精密チューニング 2024年 1月19日
特許 7407809 不揮発性フラッシュメモリデバイスにおいて使用される改善されたチャージポンプ 2024年 1月 4日

30 件中 16-30 件を表示

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7474870 7474871 7474876 7473570 7464623 7464681 7448674 7438353 7428820 7426505 7425927 7425929 7418432 7418602 7407809

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