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(2019年:第1289位 20件)
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(2019年:第950位 21件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 6800247 | スプリットゲート型不揮発性フラッシュメモリセルの製造方法 | 2020年12月16日 | |
特許 6783397 | 不揮発性メモリセルアレイエントロピに基づいて乱数を生成するためのシステム及び方法 | 2020年11月11日 | |
特許 6768776 | フラッシュメモリ装置のハイブリッドチャージポンプ並びに調節手段及び方法 | 2020年10月14日 | |
特許 6759235 | フラッシュメモリシステムにおける選択していないビット線のプログラミングを禁止する方法及び装置 | 2020年 9月23日 | |
特許 6732901 | 別個のワード線及び消去ゲートを有するフラッシュメモリを形成する方法 | 2020年 7月29日 | |
特許 6728401 | 改善されたフラッシュメモリセル及び関連するデコーダ | 2020年 7月22日 | |
特許 6724122 | 高度ナノメートルフラッシュメモリ装置において使用される改良形トランジスタ設計 | 2020年 7月15日 | |
特許 6716022 | 個々のメモリセルが読み出し、プログラミング、及び消去される3ゲートフラッシュメモリセルアレイ | 2020年 7月 1日 | |
特許 6716716 | 2つのポリシリコン堆積工程を使用して対の3ゲート不揮発性フラッシュメモリセルを形成する方法 | 2020年 7月 1日 | |
特許 6701374 | 小型スプリットゲート不揮発性フラッシュメモリセル及びその作製方法 | 2020年 5月27日 | |
特許 6686148 | フラッシュメモリシステム用低電力センスアンプ | 2020年 4月22日 | |
特許 6676081 | 高度なナノメートルフラッシュメモリデバイスのための高速検知 | 2020年 4月 8日 | |
特許 6670749 | 構成可能なピンを備える三次元フラッシュNORメモリシステム | 2020年 3月25日 | |
特許 6671386 | 3D FinFET構造体を有するスプリットゲート不揮発性メモリセル及びその製造方法 | 2020年 3月25日 | |
特許 6656412 | スプリットゲート、ツインビット不揮発性メモリセル | 2020年 3月 4日 |
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6800247 6783397 6768776 6759235 6732901 6728401 6724122 6716022 6716716 6701374 6686148 6676081 6670749 6671386 6656412
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